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[学位论文] 作者：孙禹辉,,
来源： 年份：2011
化学机械抛光(Chemical mechanical polishing, CMP)加工技术既能获得良好的加工表面全局,也能得到较好的局部平面度,因此在大规模集成电路和超大规模集成电路(ULSI)的制造过...
[期刊论文] 作者：孙禹辉,康仁科,郭东明,金洙吉,
来源：电子工业专用设备 年份：2004
目前半导体制造技术已经进入0.13μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术.根据下一代IC对大尺寸硅片(≥300 mm)面型精度和表面完整性的要求,分析了CMP(化...
[期刊论文] 作者：孙禹辉,康仁科,郭东明,金洙吉,苏建修,
来源：半导体技术 年份：2004
目前半导体制造技术已经进入0.1 3μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术.本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了...
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