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[期刊论文] 作者：宁锦华,唐恒敬,张可锋,李淘,李永富,李雪,龚海梅,,
来源：激光与红外 年份：2009
采用Cl2/BCl3/Ar感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀。讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响。初步得到了一种稳定、...
[期刊论文] 作者：张可锋,李淘,唐恒敬,李永富,宁锦华,李雪,龚海梅,
来源：红外与激光工程 年份：2004
首次介绍了采用AlN介质薄膜为钝化层的InGaAs台面型探测器(λ=2.4 μm).探测器采用分子束外延(MBE)方法生长的原位掺杂的PIN In0.78Ga0.22As/In0.78Ga0.22As/InxGa1-xAs/InP...
[期刊论文] 作者：李永富,唐恒敬,张可峰,李淘,宁锦华,李雪,龚海梅,,
来源：激光与红外 年份：2009
通过闭管扩散方式，在NIN型InP／In0.82Ga0.18As／InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件，研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究...
[期刊论文] 作者：龚海梅,唐恒敬,李雪,张可锋,李永富,李淘,宁锦华,汪洋,缪,
来源：红外与激光工程 年份：2009
应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W.这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能...
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