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[学位论文] 作者：宋洵奕,,
来源：电子科技大学 年份：2014
高压Sense FET(Current Sense Field Effect Transistor)是一种可用于高压功率集成电路,对功率元件进行电流探测的高压功率器件,相比传统的集成电流采样器件,高压Sense FET具...
[会议论文] 作者：宋洵奕,李泽宏,任敏,张金平,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
本文根据实际工艺的电压标准着重阐述了高压功率集成技术、大功率功率集成技术以及高密度功率集成技术工艺的各自特点及发展标准,同时介绍了世界知名IC制造厂商的并阐述了BCD...
[期刊论文] 作者：甘小伟,刘玉岭,何彦刚,李伟娟,王娟,宋洵奕,,
来源：微纳电子技术 年份：2011
采用离子交换法去除ULSI/GLSI CMP浆料SiO2水溶胶中的Na+。介绍了微电子专用CMP SiO2水溶胶纯化的研究现状。实验分析了SiO2水溶胶中Na+与阳离子树脂的交换机理,硅溶胶中Na+...
[会议论文] 作者：单亚东,宋洵奕,邹有彪,宋文龙,李泽宏,张金平,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 年份：2012
本文利用仿真软件对6500V FS-IGBT的传统结构和T型栅结构进行了电特性仿真,通过对器件静态和动态特性的研究发现:T型栅结构随着薄氧化层L1的增大,器件的正向压降增大,器件的关断延迟时间降低,采用合适的L1值,得到了优化的T型栅结构.......
[会议论文] 作者：宁润涛,宋洵奕,任敏,黄锴,尹杰,李洁,朱金粦,李泽宏,张金平,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
更低的导通损耗和开关损耗一直是功率VDMOS发展的方向.本文提出了一种适用于低压应用的具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS,并借助仿真软件进行了设计和优化,获得了耐压62V的器...
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