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[学位论文] 作者：宣鑫科,,
来源： 年份：2010
二氧化锡(SnO2)作为一种典型的n型且有较宽的直接带系的宽禁带金属氧化物半导体材料(Eg=3.6eV),具有稳定的物理化学性质,例如较好的导电性能、光学性能、热稳定性和抗腐蚀性,...
[期刊论文] 作者：宣鑫科,陶佰睿,张健,,
来源：齐齐哈尔大学学报(自然科学版) 年份：2010
基于溶胶凝胶法制备了掺铟二氧化锡（ITO）薄膜,探讨聚乙二醇（PEG）、退火温度、退火过程氧气浓度等因素对ITO薄膜性能的影响。实验结果表明：在相同实验条件下,添加PEG能够降低ITO薄......
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