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[期刊论文] 作者：周伟佳,龚晓霞,陈冬琼,肖婷婷,尚发兰,杨文运,
来源：红外技术 年份：2022
采用原子层沉积技术制备Al2O3薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响.利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al2O3介电层引入了表面固定正电荷,200℃和300℃退火处理可有效......
[期刊论文] 作者：陈冬琼,杨文运,邓功荣,龚晓霞,范明国,肖婷婷,尚发兰,余瑞云,
来源：红外技术 年份：2022
InAs1-xSbx属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料，随Sb组分含量的不同，室温下可覆盖3～12μm波长，并且InAsSb材料具有载流子寿命长、吸收系数大、载流子迁移率高等优点，是一种具有广阔应用前景的红外光电材料。探测器可以在150K甚至近室温下工作，具有较高的灵敏度和探测率，......
[期刊论文] 作者：龚晓霞,肖婷婷,杨瑞宇,黎秉哲,尚发兰,孙祥乐,赵宇鹏,陈冬,
来源：红外技术 年份：2020
采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响。...
[期刊论文] 作者：孙祥乐,高思伟,毛渲,龚晓霞,余黎静,宋欣波,柴圆媛,尚发兰,
来源：红外技术 年份：2019
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺...
[期刊论文] 作者：孙祥乐,高思伟,毛渲,龚晓霞,余黎静,宋欣波,柴圆媛,尚发兰,信,
来源：红外技术 年份：2019
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[期刊论文] 作者：龚晓霞,肖婷婷,杨瑞宇,黎秉哲,尚发兰,孙祥乐,赵宇鹏,陈冬琼,杨文运,,
来源：红外技术 年份：2020
采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响....
[期刊论文] 作者：陈冬琼,王海澎,秦强,邓功荣,尚发兰,谭英,孔金丞,胡赞东,太云见,袁俊,赵鹏,赵俊,杨文运,
来源：红外与毫米波学报 年份：2022
计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命，结果表明，低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程，而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程。讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及暗电流抑制机理，通过在nBn吸收......
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