搜索筛选:
搜索耗时0.0362秒,为你在为你在23,761,000篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：崔培水,,
来源：西安电子科技大学 年份：2014
Ⅲ族氮化物(InN，GaN和AlN)半导体因其非常优异的特性而得到了广泛的关注。在最近十几年，InN因其具有非常高的电子迁移率和饱和漂移速率、较小的电子有效质量和较窄的禁带宽度等...
相关搜索：
