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[期刊论文] 作者：周春红,孔月婵,席冬娟,陈鹏,郑有炓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
用Si(111)上MOCVD生长的晶态AlN制备出性能良好的Al/AlN/Si(111)MIS结构,用C-V技术首次系统研究了Al/AlN/Si MIS结构的电学性质.用Al/AlN/Si MIS结构的C-V技术测量了AlN的极...
[期刊论文] 作者：赵作明,江若琏,陈鹏,席冬娟,沈波,郑有炓,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝 (Al)和钛铝铂金(Ti Al Pt Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al GaN在 45 0℃氮气气氛退火 3min取...
[期刊论文] 作者：席冬娟,江若琏,陈鹏,赵作明,罗志云,沈波,张荣,郑有炓,
来源：高技术通讯 年份：2000
报道了以Si( 111)为衬底的GaN光导型紫外探测器的制备及其光电流性质。探测器的光谱响应表明 ,这种GaN探测器在紫外波段 2 50～ 360nm有近于平坦的光电流响应 ,363nm附近有陡峭...
[期刊论文] 作者：周春红,郑有炓,邓咏桢,孔月婵,陈鹏,席冬娟,顾书林,沈波,张荣,江若琏,韩平,施毅,
来源：物理学报 年份：2004
利用Al_AlN_Si(111)MIS结构电容_频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN_Si异质结构中的电荷陷阱态 .揭示了AlN_Si异质结构界面电荷陷阱态以及AlN层中的分立...
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