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[期刊论文] 作者：廉亚光,,
来源：半导体情报 年份：1991
在GaAs IC的实际制作中,通过采用氯代苯对AZ-1350J光刻胶进行表面韧化处理,得到一近似的负窗孔,并在二次连线时,成功地剥出了最小间距为4μm和最细线条为3μm的TiPtAu条。...
[期刊论文] 作者：廉亚光,
来源：半导体技术 年份：1991
本文对门阵列的子单元和电源线的布局结构进行了分析,用图论理论对通道和二次布线做了研究。给出了门阵列子单元和电源线的合理化布局,所需通道的最少数和二次布线长度最短的...
[期刊论文] 作者：廉亚光,刘丽雅,
来源：中国实验诊断学 年份：2003
1 临床资料患儿,男,3岁,汉族.缘于1周前家长发现左上腹有一肿物,约儿头大小,伴腹痛及腹胀,便秘,当时查体见:腹部膨隆,可见腹壁静脉曲张,肝脾未及.未见肠型及蠕动波.当地医院...
[期刊论文] 作者：廉亚光,郝景晨,
来源：半导体情报 年份：1994
介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。......
[期刊论文] 作者：廉亚光,郝景臣,
来源：半导体情报 年份：2000
阐述了实现多层平面互连结构的方法，对该技术中的三个主要方面－－介质隔离度、小于２．０μｍ×２．０μｍ互连孔和５０ｎｍ之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明，该技术稳定可靠，是改善互连......
[会议论文] 作者：廉亚光,郝景晨,
来源：第四届全国固体薄膜学术会议 年份：1994
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[期刊论文] 作者：廉亚光,郝景晨,郑晓光,
来源：半导体情报 年份：1994
介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。The implantation of Be + or Mg + + under......
[期刊论文] 作者：廉亚光,郝景臣,张豫黔,
来源：半导体情报 年份：2000
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明...
[期刊论文] 作者：高伟,伊莲花,廉亚光,张桂芬,
来源：中国实验诊断学 年份：2003
平静时心电图缺血性ST-T改变是临床上诊断急性冠状动脉综合征的重要指标之一,由于急性冠状动脉综合征的治疗决策主要取决于ST段是否抬高,因此可分为ST段抬高的急性冠状动脉综...
[期刊论文] 作者：廉亚光,宋东波,郝景晨,郑晓光,,
来源：半导体情报 年份：1993
叙述了用电容二极管场效应逻辑电路形式制作的二输入或非门电路。该电路能很好地解决输入输出与SiECL电路相兼容以及输出能驱动50Ω负载的问题。封装后的电路延迟为300～500ps,...
[期刊论文] 作者：杨克武,刘福顺,綦素琴,廉亚光,,
来源：半导体情报 年份：1991
采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71的Si_xO_yN_z做GaAs注Si~+包封退火膜,它比Si...
[期刊论文] 作者：杨中月,梁玉英,郝景晨,廉亚光,
来源：半导体情报 年份：1999
介绍一种ＧａＡｓ６位数－模转换器（ＤＡＣ）。时钟频率达到５００ＭＨｚ，采用全耗尽型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ制作，平面凹槽工艺，最小线宽１μｍ，输入与ＥＣＬ电平兼容，输出能驱动５０Ω负载，最大静态功耗９００ｍＷ。Describes a GaAs6 bit-to-analog converter......
[期刊论文] 作者：张降红,宋马成,郝景晨,廉亚光,张海明,曹彦新,,
来源：电子器件 年份：1997
采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200Kev)下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子...
[期刊论文] 作者：王文君,田国平,廉亚光,郝景臣,王俊华,张降红,乔键,
来源：半导体情报 年份：1999
研制出一种实用化的ＧａＡｓ激光器高速驱动电路，该电路采用源耦合场效应管逻辑电路形式，０．８μｍ栅工艺，全离子注入平面工艺，单电源（－５．２Ｖ）供电。并给出了研究结果：最大驱动电流可达４５ｍＡ，数据传输速率２．５Ｇｂ／ｓ。A......
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