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[期刊论文] 作者：武德起,赵红生,姚金城,张东炎,常爱民,,
来源：无机材料学报 年份：2008
传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作...
[期刊论文] 作者：靳先静,常爱民,张惠敏,张东炎,,
来源：电子元件与材料 年份：2009
为了得到低B值(2100K)、高精度互换、均匀性好的NTC热敏电阻器,采用聚合络合法制备了Mn0.43Ni0.90CuFe0.67O4 NTC热敏材料的前驱体,在500℃进行热分解后获得氧化物,经不同温...
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