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[期刊论文] 作者：张国强，严荣良，余学锋，高文钰，任迪远，赵元富，胡浴红，王英民,
来源：核技术 年份：1994
对氢氧合成和干氧栅氧化后注Ｆ的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了γ射线辐照试验，比较了两种栅介质注Ｆ的电离辐射响应特性。研究表明，氢氧合成栅氧化后注Ｆ的ＭＯＳＦＥＴ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态......
[期刊论文] 作者：张国强，严荣良，余学锋，高文钰，任迪远，赵元富，胡浴红，王英民,
来源：Nuclear Science and Techniques 年份：1994
ＲＡＤＩＡＴＩＯＮＥＦＦＥＣＴＯＮＦＬＵＯＲＩＮＡＴＥＤＳｉＯ＿２ＦＩＬＭＳ￥ＺｈａｎｇＧｕｏｑｉａｎｇ（张国强）；ＹａｎＲｏｎｇｌｉａｎｇ（严荣良）；ＹｕＸｕｅｆｅｎｇ（余学锋）；ＧａｏＷｅｎｙｕ（高文钰）；ＲｅｎＤｉｙｕａｎ（任迪远）（Ｘｉｎｊｉ...RADIATIONEFFECTONFLUORINATEDSiO_2FILMS ¥ ZhangGuoqiang (Zhang Guoqiang); YanRongliang (Yan Rongliang); YuXuefeng (Yu Xuefeng......
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