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[期刊论文] 作者：张康玮,龙世兵,刘琦,吕杭炳,李颖弢,王艳,连文泰,王明,张森,刘明,,
来源：中国科学:技术科学 年份：2011
阻变存储器(resistance random access memory,RRAM)无源交叉阵列由于其结构简单、密度高、易3D集成等优点而得到广泛的关注,是RRAM实现高存储密度的一种极具应用前景的集成方案.但是无源交叉阵列中的串扰问题限制了其发展与应用.本文从阻变存储器的集成、无源......
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