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[会议论文] 作者：张彦昭;乔明;毛焜;张波;,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
设计了一种基于BCD工艺的高压PMOS器件(LDMOS)，本文通过理论分析和软件仿真，对传统PMOS器件的相关参数，包括漂移区浓度、场板长度等进行优化设计，获得了满足高功率BCD工艺电压电...
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