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[期刊论文] 作者：张正选,,
来源：农业科技与信息 年份：2007
容器育苗是现代林业育苗技术的主要环节,在林业行业中占有举足轻重的作用。...
[期刊论文] 作者：张正选,
来源：濮阳职业技术学院学报 年份：2006
党的十六大强调“发挥司法机关和行政监察、审计等职能部门的作用。加强对权力的制约和监督”，党的十六届四中全会通过的《中共中央关于加强党的执政能力建设的决定》中指出：“......
[期刊论文] 作者：张正选,,
来源：现代园艺 年份：2017
简要介绍了小陇山林区油松人工林群落密度、邻体干扰指数与林分健康状况三者之间的相关性。...
[学位论文] 作者：张正选,
来源：西安交通大学 年份：2000
该文对MOS器件和集电电路的电离总剂量辐射效应和单粒子效应从实验、实验装置和理论计算等三个方面进行了深入而全面的研究....
[期刊论文] 作者：张正选,
来源：湖北农业科学 年份：1966
宣恩县椿木营地区位于北纬30°、海拔1,600多米的高山上,可以代表宣恩、建始、恩施、鶴峯以及利川等县海拔1,500—1,700米左右的高山地区。椿木营地区气候冷湿。据1960—196...
[期刊论文] 作者：张正选,
来源：医药论坛杂志 年份：2014
目的 观察分析泮托拉唑在治疗非甾体类抗炎药导致的消化性溃疡出血的临床效果.方法 选取在河南省职工医院2010年9月-2013年10月接受治疗服用非甾体类抗炎药并发消化性溃疡出...
[期刊论文] 作者：张正选,
来源：医药论坛杂志 年份：2014
目的 50003观察奥美拉唑联合莫沙比利治疗胃食管反流性病临床效果.方法 选取我院2011年1月—2013年5月收治的胃食管反流病80例,随机分为观察组(40例)和对照组(40例),观察组应...
[学位论文] 作者：张正选,
来源：西南石油大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：张正选等,
来源：计算机光盘软件与应用 年份：2014
摘 要：智能化的模糊诊断专家系统方法是在传统的异常预警方法基础上结合计算机技术发展而来的，由此方法建立的钻井工程异常预警系统可以提高钻井工程异常预警的效率、质量和智能化水平。该方法主要运用了智能化和面向对象的技术，结合现场实际情况，对钻井工程进行异......
[期刊论文] 作者：贺威,张正选,,
来源：半导体技术 年份：2010
建立了环栅结构的CMOS/SOI器件的SPICE模型,可以对抗辐照设计中环栅结构的CMOS/SOI器件计算其等效宽长比,将环栅器件转换为等效宽度和长度的条栅器件;以及对体接触电阻等其他...
[期刊论文] 作者：张正选,邹世昌,,
来源：科学通报 年份：2017
绝缘体上硅(SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上发展起来的,有独特优势的并且能够突破传统硅集成电路限制的新技术.绝缘埋层(BOX)的存在使得SOI技术从根本...
[期刊论文] 作者：吴国荣,张正选,
来源：核电子学与探测技术 年份：2000
介绍了一种新型半导体效应参数测量装置，以＾９０Ｓｒ－＾９０Ｙ为模型源辐射装置与半导体参数测量仪共同组成半导体器件辐射效应测量系统，可进行各类器件和电路总剂量辐照效应测量与分析，系统实现了......
[期刊论文] 作者：贺威,张正选,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2010
SOI（绝缘体上硅）器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电......
[期刊论文] 作者：张正选,李国政,
来源：强激光与粒子束 年份：2000
报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转戴面随线性能量转移值的变化关...
[期刊论文] 作者：贺威,张正选,
来源：半导体学报 年份：2006
介绍了SOI器件的可偏压隔离阱结构,对这种结构抗单粒子翻转的可能性进行了分析,对采用此结构的反相器的抗单粒子翻转性能利用器件模拟软件Medici和电路模拟软件Hspice进行了...
[期刊论文] 作者：张正选,李鲜,
来源：陕西中医 年份：2018
目的:探讨枳实改善功能性消化不良大鼠胃动力障碍的机制。方法:取小鼠80只,随机分成观察组(枳实组)和对照组,每组各40例,观察组按1.07g/(kg·d)给药,对照组给予等体积的生理...
[期刊论文] 作者：贺威,张正选,,
来源：微电子学与计算机 年份：2010
通过计算机模拟分析CMOS/SOI器件中单粒子效应的影响,采用二维模拟软件MEDICE,建立了器件发生单粒子效应时内部电荷的分布模型.利用电荷分布模型建立了CMOS/SOI器件在入射不...
[期刊论文] 作者：贺威,张正选,,
来源：微电子学 年份：2010
针对抗辐照设计中特殊非规则条栅栅结构的CMOS/SOI器件,分析其SPICE模型参数,对源漏电阻、电容、体接触电阻等其他模型参数作出调整,建立非标准器件的完整精确模型。设计制作...
[期刊论文] 作者：王宇飞,张正选,
来源：中州审计 年份：2001
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[期刊论文] 作者：张正选,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
重点介绍器件进入纳米尺度后出现的 MOSFET/SOI器件的新结构,如超薄 SOI器件、双栅 MOSFET、 FinFET和应变沟道等 SOI器件,并对它们的性能进行了分析....
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