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[期刊论文] 作者：张福甲,
来源：兰州大学学报：自然科学版 年份：1992
本文详细地描述了掺Zn,O 的 P—GaP外延层在高温下进行热处理,它所形成的Zn—O络合中心,这个过程用动力学方程进行了分析讨论.区分了幅射发光的两种激子的基本状态;计算了GaP...
[期刊论文] 作者：张福甲,李峰,
来源：甘肃科学：甘肃科学院学报 年份：1991
本文设计并计算了整流电流为400A,耐压为2000V的半导体可控硅整流元件的各种结构、工艺参数及它们之间的相互关系,并给出了研制这种大功率半导体器件的各种最佳工艺条件。...
[期刊论文] 作者：张福甲,奇莉,
来源：发光学报 年份：1999
详细途述了利用１．８－萘二甲酸酐作为原料制备有机半导体材料ＰＴＣＤＡ的方法；并通过质谱、红外光谱、核磁共振谱、Ｘ射线衍射谱及可见光吸收谱的测试分析，对它的结构和光吸收特性进行了进一步深......
[期刊论文] 作者：张福甲,彭军,
来源：半导体学报 年份：1993
用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar^+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布，对Pd为基底的p型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属－半导体接触层形成良...
[期刊论文] 作者：张福甲,孙达,
来源：半导体光电 年份：1983
用高倍金相显微镜及红外显微镜,对掺杂为Te、晶面是(111)的n型GaP单晶及掺N、Zn液相外延生长的P型GaP外延层,进行了缺陷及杂质偏析的观察;从而分析了导致偏析的原因及缺陷形...
[期刊论文] 作者：张福甲,孙达,
来源：兰州大学学报 年份：2004
将掺杂为Te、晶面(111)的n型GaP单晶样品,机械抛光后,在通有饱和C1_2气的甲醇溶液中,室温下化学抛光40分钟,然后用去离子水冲洗后,在H_2SO_4∶H_2O_2∶H_2O=3∶1∶1的腐蚀液...
[期刊论文] 作者：周建林,张福甲,,
来源：光电子.激光 年份：2008
采用顶接触结构研制了以Ta2O5／PMMA为绝缘层，有机材料PTCDI-Cl2为有源层的低电压n型有机场效应晶体管。其中Ta2O5薄膜采用阳极氧化方法制备，PMMA薄膜通过溶液旋涂法制备。与基于...
[期刊论文] 作者：张福甲,王德明,
来源：稀有金属 年份：1992
本文用深能级瞬态谱(PLTS)方法,研究了GaP(Zn, O)红色LED在电致发光效率退化期间最近邻(Zn_(Ga), O_p)离子对的分离和深能级变化情况,分析讨论了发光效率退化的原因。...
[期刊论文] 作者：肖剑,黎明,张福甲,,
来源：人工晶体学报 年份：2007
本文采用等离子体电弧法制备了纳米Al粉末，用XRD、TEM、TG、DTA、热处理等测试技术研究了纳米Al粉末的组成结构、晶粒大小、晶粒形貌和热稳定性情况。结果表明，该粉体平均粒径...
[期刊论文] 作者：张福甲,甘润今,
来源：半导体光电 年份：2000
在电阻率为０．２Ω．ｃｍ的ｐ－Ｓｉ衬底上沉积了厚度为２０ｎｍ的有机半导体材料四甲酸二酐（ＰＴＣＤＡ）薄膜，由此形成有机／无机异质结。从它们的能带结构出发，通过实验测试分析了这种有机／无机半导体异质结（ＯＩＨＪ）的电容－电压及......
[期刊论文] 作者：张福甲,张苗,张旭,
来源：发光学报 年份：1996
我们对ＬＥＣ法制成的掺Ｓ的ＧａＰ单晶，从室温至１０００℃，每隔５０℃恒温３０分钟，在Ａｒ气保护下进行热处理。用正电子湮没技术（ＰＡＴ）对样品中的缺陷进行了分析研究。结果指出，随着热处理温度的升高，ＧａＰ中的点缺陷组态发生......
[期刊论文] 作者：张福甲,王德明,
来源：甘肃科学学报 年份：2000
根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流～电压特性。...
[期刊论文] 作者：冯煜东,张福甲,
来源：真空科学与技术学报 年份：2006
重点论述了在P-Si基底上通过真空沉积技术制备PTCDA/P-Si光电探测器的制备工艺和光电性能.所制备的PTCDA/P-SI有机光电探测器具有良好的稳定性及可靠性,总体性能高于进口的无...
[期刊论文] 作者：张旭,张旭辉,张福甲,,
来源：光子技术 年份：2006
有机场效应晶体管（OFETs，Organic Field effect tansistors）在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用，引起人们广泛的研究兴趣。本文推导了底部接触电极...
[期刊论文] 作者：张福甲,王德明,
来源：半导体光电 年份：1993
用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0~(18)cm~...
[期刊论文] 作者：张福甲,刘凤敏,
来源：半导体光电 年份：1997
介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。...
[期刊论文] 作者：张福甲,孙以亭,
来源：科技信息 年份：2012
一、典型案例2008年7月15日20时左右，运行人员接到配网调度班电话：10KV168黄山1#线A相单相接地，要求运行人员迅速查明故障原因。...
[期刊论文] 作者：孙以亭,张福甲,
来源：科技信息 年份：2012
随着国民经济的迅猛发展．城市化进程步伐的不断加快，用户对不间断供电的期望越来越高．提高供电可靠性是专前的一项币要任务．大力开展带电作业．尽可能地减少线路停电，不但能提高供电......
[期刊论文] 作者：张福甲,王德明,
来源：发光学报 年份：1991
本文研究了NH_3作为气相掺杂剂,在GaP-LED层中氮结合的动力学过程;分析讨论了影响外延层中氮浓度的诸因素....
[期刊论文] 作者：张旭,张杰,张福甲,
来源：发光学报 年份：2018
对PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析,并讨论了晶面指数（100）Si单晶的晶格结构。在此基础上,评述了PTCDA分子在P-Si单晶（100）晶面上生长的机理,并制备了样品PTCDA/P-Si（1...
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