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[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：电子科学学刊 年份：1992
本文建议用耗尽的线性扫描电压扫描MOS电容样品。扫描开始前MOS电容被置于强反型态,以消除表面产生的影响。根据扫描所得的电容-时间瞬态曲线,可确定样品中少于产生寿命。实...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：杭州大学学报：自然科学版 年份：1992
本文给出了描写脉冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及,文中给出了用Runge-Kutta方法得到的I-t和C-t瞬态...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：杭州大学学报：自然科学版 年份：1991
本文提出了一种直接求解泊松方程计算(MIS)/(IL)太阳电池的反型层薄层电阻的方法.这种方法既不采用耗尽近似,也不忽略反型电荷对电势的影响,因而它是精确的.文中通过计算实例...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：杭州大学学报(自然科学版) 年份：1993
本文建议子一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。由于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度之差,因此无论使用Pierret的改进的产生区宽...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1993
建立了一种解释脉冲MOS电容器中具有场增强特征的载流子产生的方法.与以往理论不同的是,本文考虑到了来自陷阱中心的载流子非库仑发射的贡献,能更好地解释实验结果。...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：应用科学学报 年份：1994
深扩散和表面减薄改善硅扩散结太阳电池性能的可能性张秀淼（杭州大学）关键词：太阳电池，ｐ－ｎ结，半导体．０引言前表面复合速度对硅扩散结太阳电池性能的影响已经由许多作者进行过研究￣［１～７］．早期的......
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：应用科学学报 年份：1993
给出了决定在工作状态下感应反型层太阳电池薄层电阻的一组方程，与以前的理论不同之处是考虑到了薄层电阻对电池工作状态的依赖性，分析中计及了电池外表面上的象电荷和二氧化硅......
[期刊论文] 作者：张秀淼,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1992
When a linear voltage ramp is applied to the gate of a MOS capacitor,a capacitance-time(C-t)transient is observed.The MOS capacitor is biased into strong invers...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：半导体学报 年份：2004
本文分析了线性电压扫描下MOS电容的C-t瞬态响应,在此基础上,发展了一种快速确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法实验手续和计算均较简单,适于在需要确定很多样品的...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：半导体学报 年份：1986
本文分析了MOS结构的电流和电容对阶跃电压的瞬态响应过程.应用较精确的产生区模型,提出了由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿命τ_g的深度分布的正确方法. 在实验上,本文...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：半导体学报 年份：1985
本文提出了一种直接由C-t瞬态参数确定未知掺杂样品少子产生寿命的方法.本方法的简单性使它特别适于在工艺在线监控中应用.In this paper, a method is proposed to determ...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：太阳能学报 年份：1985
本文对太阳电池扩散N+N高低结界面的有效表面复合速度进行了解析研究,取扩散N~+区的杂质分布为高斯分布,给出了有效表面复合速度及其表面复合分量和体复合分量的解析表达式,...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：太阳能学报 年份：1983
对扩散p-n结的光电流在短波长区域的响应进行了解析研究。本文假设扩散p型区的杂质分布为高斯分布,并与前人的指数杂质分布结果作了比较。当用简化的指数杂质分布代替实际的...
[期刊论文] 作者：张秀淼,
来源：杭州大学学报(自然科学版 年份：1987
假设扩散区的杂质分布为高斯分布,本文给出了扩散n+-P结太阳电池扩散n+区少子连续性方程一个形式简单的解。在此基础上对若干实例进行了计算和分析,以研究表面复合速度和结深对太阳电池性能的影响。 本文指出,为使太阳电池有高的收集效率,必须把表面复合速度控......
[期刊论文] 作者：张秀淼,石国华,
来源：半导体学报 年份：1993
本文报道了用国产ＤＤ－Ｐ２５０型等离子增强ＣＶＤ设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Ｓｉ／Ｎ组分比以及Ｏ，Ｃ等杂质的含量，研究了组分比与射频功率，ＳｉＨ４／ＮＨ３流量比及衬底温度的关系，用红外收......
[期刊论文] 作者：张秀淼,刘蛟,
来源：杭州大学学报：自然科学版 年份：1991
本文用准平衡模型分析讨论了线性电压扫描下MIS器件的I/V瞬态.文中除了给出一般的处理方法以外,还给出了几种不同电压扫描率下I/V特性的计算结果,并与已往的模型作了比较....
[期刊论文] 作者：丁扣宝,张秀淼,
来源：电子科学学刊 年份：1994
本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的影响;给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明,以往的只考虑库仑发射的模型过于简单,本文理论可以较满意地解释有......
[期刊论文] 作者：丁扣宝,张秀淼,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公......
[期刊论文] 作者：丁扣宝,张秀淼,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
采用形式简单但较为精确的Ｐｉｅｒｒｅｔ的产生区宽度模型，分析了线性扫描电压作用下ＭＯＳ电容器的电容一时间瞬态特性。在此基础上，建议了一种通过两次不同电压扫描率的线性电压扫描来测定半导体......
[期刊论文] 作者：丁扣宝,张秀淼,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量，设计了相应的产生寿命C－t瞬态测量系统，能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的 自动化，提高了测量速度和准确度。应用于......
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