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[学位论文] 作者：张赛谦,,
来源：大连理工大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：张赛谦,戴忠玲,王友年,,
来源：Plasma Science and Technology 年份：2012
We present a model which is used to study ion transport in capacitively coupled plasma(CCP) discharge driven by a radio-frequency(rf) source for an etching proc...
[会议论文] 作者：张赛谦, 杨雪, 戴忠玲, 王友年,,
来源： 年份：2004
原子层刻蚀(ALE),是与原子层沉积(ALD)相对的反应,通过自限制的去除表面最外层分子,实现原子/分子层精度的刻蚀。随着近年来半导体微电子制造中刻蚀槽(沟)深宽比的进一步增大...
Study on atomic layer etching of Si in inductively coupled Ar/Cl_2 plasmas driven by tailored bias w
[期刊论文] 作者：麻晓琴,张赛谦,戴忠玲,王友年,,
来源：Plasma Science and Technology 年份：2017
Plasma atomic layer etching is proposed to attain layer-by-layer etching, as it has atomic-scale resolution, and can etch monolayer materials. In the etching pr...
[会议论文] 作者：张赛谦,戴忠玲,宋远红,王友年,
来源：第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 年份：2013
引言经过近几十年的快速发展,半导体集成电路中微电子器件制造工艺的特征尺度已小于几十纳米.在这样的尺度下,依赖深宽比的刻蚀(ARDE),微负载(micro loading),旁刻(notching)等微观不均匀性制约了特征尺度的进一步减小[1].碳氟基气体放电等离子体常用于SiO2介质......
[期刊论文] 作者：眭佳星,张赛谦,刘增,阎军,戴忠玲,,
来源：Plasma Science and Technology 年份：2016
A multi-scale numerical method coupled with the reactor,sheath and trench model is constructed to simulate dry etching of SiO_2 in inductively coupled C_4F_8 pl...
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