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[会议论文] 作者：张铁民[1]缪国庆[2]金亿鑫[2]于淑珍[1]蒋红[2]李志明[2]宋航[2],
来源：2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会 年份：2007
本文采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、结晶质量和Ⅲ族源铟镓比的影响.扫描电子显微...
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