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[期刊论文] 作者：杨法明,杨发顺,张锗源,李绪诚,张荣芬,邓朝勇,,
来源：微纳电子技术 年份：2011
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、...
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