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[学位论文] 作者：戈喆,
来源：东南大学 年份：2008
低温集成电路应用已受到越来越多的关注。低温下,MOS器件特性显著改善：迁移率和饱和速度增大、亚阈值斜率减小、可靠性变好。这将导致低温集成电路具有更快的速度、更大的增益......
[期刊论文] 作者：戈喆,王志鸿,厉媛玥,,
来源：电子技术应用 年份：2016
为了减少芯片功耗,可靠的低功耗物理设计必不可少。基于新一代布局布线工具Innovus,分四个部分阐述了新的低功耗物理设计流程。这些内容包括：基于低功耗的物理库设计;低功耗布...
[期刊论文] 作者：戈喆,李海松,王钦,孙伟锋,,
来源：半导体技术 年份：2007
围绕TrenchMOS的击穿电压BVds、特征导通电阻Ron和栅漏电荷Qgd这三个最重要的特性指标,对TrenchMOS进行分析和改进,提出了体内注入TrenchMOS的概念。体内注入结构巧妙利用体...
[期刊论文] 作者：戈喆,付娟,王沛东,任力争,王志鸿,王丽英,
来源：中国集成电路 年份：2018
低功耗芯片设计的关键之一是低功耗时钟树设计。本文首先讲解了“时钟树消耗”概念作为评估低功耗时钟树水平的指标,然后提出了三种低功耗时钟树结构分析方法,分别是:基于子...
[期刊论文] 作者：戈喆, 付娟, 王沛东, 任力争, 杜华斌, 王志鸿, 王丽,
来源：中国集成电路 年份：2017
现在芯片设计的低功耗要求越来越高,由于时钟树通常占据芯片30-40%的门电路功耗,所以低功耗时钟树设计在低功耗芯片设计中非常重要。本文首先提出＂时钟树花费＂概念作为评估低功......
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