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[学位论文] 作者：战光辉,,
来源：华南理工大学 年份：2013
ZnO是一种新型的直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子结合能为60meV。通过掺杂Ⅲ族元素（如Al、Ga、In），ZnO的电导率可以提高几个数量级，是一种典型......
[期刊论文] 作者：田姣姣, 尤敏敏, 林祖德, 白毅韦, 战光辉, 刘景全,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：田姣姣,尤敏敏,林祖德,白毅韦,战光辉,刘景全,
来源：微纳电子技术 年份：2019
设计制造了一种改进的双螺旋结构MEMS加热器,可用于高温气体传感器作为加热和传感单元.该MEMS加热器以Si为基底,SiO2/Si3N4纳米薄膜作为绝热层,Pt/Ti金属薄膜作为加热单元和...
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