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[学位论文] 作者：戴芳博,,
来源：湘潭大学 年份：2020
在IV-VI族化合物二维材料M(M=Ge,n;=,e)中,二维硒化锗(Ge e)是一种具有直接带隙的半导体材料。它作为一种新型的二维材料,光谱吸收范围宽,在光学、电学等领域具有潜在的应用...
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