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[学位论文] 作者：文剑豪,
来源：重庆邮电大学 年份：2021
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[期刊论文] 作者：刘培培,文剑豪,魏进希,王冠宇,周春宇,
来源：重庆理工大学学报:自然科学 年份：2021
为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si3N4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si3N4,使其在基区引入单轴压应力,增...
[期刊论文] 作者：于明道, 王冠宇, 苗乃丹, 文剑豪, 周春宇, 王巍,,
来源：微电子学 年份：2004
为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层,多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件...
[期刊论文] 作者：苗乃丹,王冠宇,文剑豪,于明道,周春宇,王巍,,
来源：重庆邮电大学学报(自然科学版) 年份：2021
为了满足通信系统中对核心器件工作频率更高的要求,设计了一种新型的器件结构,有效提高了SiGe异质结双极型晶体管(hetero-junction bipolar transistor, HBT)的频率特性。基于传统的SOI SiGe HBT器件结构,通过减小发射区和集电区的窗口尺寸,并在集电区引入单轴......
[期刊论文] 作者：于明道,王冠宇,苗乃丹,文剑豪,周春宇,王巍,
来源：微电子学 年份：2019
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