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[期刊论文] 作者：崔强,韩雁,董树荣,刘俊杰,斯瑞珺,,
来源：传感技术学报 年份：2008
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地...
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