搜索筛选:
搜索耗时0.0918秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 12 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：方测宝,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2007
GaN基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于其独特的特性，在材料生长和光电器件的研究中引起了广泛关注。其主要优点是禁带宽度大、耐高温、耐酸碱、抗辐射、电子饱和速度高、漂移速度......
[期刊论文] 作者：李晓明,方测宝,
来源：耐火材料 年份：1999
对高纯Ａｌ２Ｏ３质泥浆采用ＳＨＳ法和反应烧结法，使这种高耐火度并耐浸蚀的泥浆能在１３００℃烧结并具有良好的结合性能。对同类型涂料进行的试验也取得了相同的结果。...
[期刊论文] 作者：李兴鸿,赵俊萍,王勇,方测宝,黄鑫,
来源：2017年环境技术研讨会 年份：2017
本文从双电源电压三态输出电路原理结构图出发,列出了引起VOL、VOH、IOZH、IOZL失效的可能原因,通过估算指出引起高阻高电平漏电失效而其它功能参数都正常的失效模式的失效位...
[期刊论文] 作者：李兴鸿,赵俊萍,王勇,方测宝,黄鑫,,
来源：环境技术 年份：2017
本文从数字CMOS集成电路的I／O结构、全ESD防护结构、自动测试设备的PMU、恒压源恒流源的原理出发，综合分析了功能测试及PMU测试过程中加压测流和加流测压与IC输入、输出、三态...
[期刊论文] 作者：李兴鸿,赵俊萍,王勇,方测宝,黄鑫,孙键,
来源：2017年环境技术研讨会 年份：2017
本文对IC封装钎焊位置变色现象进行了形貌和成份分析,认为变色的主要原因是Ni镀层有针孔或空洞,根本原因在电镀工艺....
[期刊论文] 作者：方测宝,王晓亮,刘超,胡国新,王军喜,李建平,王翠梅,李成基,
来源：半导体学报 年份：2005
采用MOCVD技术在非有意掺杂的条件下,在C面蓝宝石衬底上制备出了高阻的GaN单晶薄膜样品.用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示GaN外延膜的表面十分平整,表面粗糙度仅...
[期刊论文] 作者：方测宝,王晓亮,刘超,胡国新,王军喜,李建平,王翠梅,李成基,
来源：城市道桥与防洪 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：罗卫军,陈晓娟,刘果果,刘新宇,王晓燕,方测宝,郭伦春,王晓,
来源：半导体学报 年份：2007
在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了三种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具,在3～8GHz范围...
[期刊论文] 作者：方测宝,王晓亮,肖红领,王翠梅,冉军学,李成基,罗卫军,杨翠,
来源：半导体学报 年份：2007
建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因...
[会议论文] 作者：方测宝,李晋闽,王晓亮,肖红领,王翠梅,冉军学,李成基,罗卫军,杨翠柏,曾一平,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差。......
[期刊论文] 作者：罗卫军，陈晓娟，刘果果，刘新宇，王晓燕，方测宝，郭伦春，王晓亮，LuoWeijun，ChenXiaojuan，LiuGuoguo，LiuXinyu，WangXiaoyan，FangCebao，GuoLunchun,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：方测宝，王晓亮，肖红领，王翠梅，冉军学，李成基，罗卫军，杨翠柏，曾一平，李晋闽，FangCebao，WangXiaoliang，XiaoHongling，WangCuimei，RanJunxue，LiChengji,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
相关搜索：
