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[学位论文] 作者：方铉,,
来源：长春理工大学 年份：2015
本论文主要开展Zn O薄膜在原子尺度上的可控生长、同质和异质核壳纳米结构的制备及特性研究以及Zn O纳米结构的发光器件及光探测器件性质等方面的研究工作,并取得如下成果:1....
[学位论文] 作者：方铉,
来源：长春理工大学 年份：2009
半导体一维纳米材料由于存在着显著的量子效应、尺寸效应、表面效应、特殊的电子传导效应等,因此它们的制备及物理和化学性质引起了人们的广泛关注。ZnO是一种宽带隙的半导体...
[期刊论文] 作者：王兴,李金华,方芳,方铉,楚学影,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2013
通过在反应溶液及后续处理中分别添加氯离子的方式，即采用水热法在生长氧化锌纳米材料的反应溶液中添加氯离子、在水热法制得氧化锌纳米棒后进行氯离子腐蚀。通过对样品的表征......
[期刊论文] 作者：张炳烨,谢洪丽,方铉,刘爱民,,
来源：发光学报 年份：2016
采用原子层沉积设备在p型单晶制绒硅上制备了不同厚度的AlO_x薄膜。通过研究AlO_x薄膜厚度对样品的反射率、少数载流子寿命以及电容-电压特性的影响,发现沉积32 nm的AlO_x薄膜样品具有最好的钝化效果。另外,通过计算Si/AlO_x界面处的固定电荷密度和缺陷态密度,......
[期刊论文] 作者：李金华,李静,方铉,王晓华,魏志鹏,,
来源：物理化学学报 年份：2012
通过水热法在长有ZnO籽晶层的柔性聚酰亚胺(PI)衬底上生长了整齐的ZnO纳米棒,ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等进行表征.通过静电吸...
[期刊论文] 作者：付杰,王晓华,李金华,方铉,魏志鹏,,
来源：光电工程 年份：2014
针对惯性约束性聚变（ICF）实验中高分辨靶源辐射成像的需要，对结合电子束光刻和X射线光刻制作大高宽比菲涅尔波带片的制作工艺进行了研究。首先采用带有自支撑薄膜的衬底进行电子......
[期刊论文] 作者：赵健,楚学影,李金华,方铉,王晓华,,
来源：中国光学 年份：2014
为了明确团聚现象及表面性质对Zn S纳米材料发光性质的影响,采用Si O2对Zn S材料进行了表面修饰,并对Zn S及Zn S/Si O2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了...
[期刊论文] 作者：方铉,李金华,王晓华,魏志鹏,方纪,徐志堃,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2009
生物传感器是当代传感研究领域最活跃的内容之一。最近,基于纳米线和纳米管的生物传感器因具有测定所需样品少、响应速度快、响应灵敏度高、体积小可以植入细胞中进行检测等...
[期刊论文] 作者：王菲,王晓华,刘向南,翁永超,房丹,方铉,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2010
采用多周期应变补偿InGaAs/GaAsP双量子阱结构的半导体器件作为增益介质,设计了光抽运面发射半导体激光器件结构和实验光路。在谐振腔中引入分束棱镜保证了VECSEL表面的抽运...
[期刊论文] 作者：乔闯, 苏瑞巩, 李翔, 房丹, 方铉, 唐吉龙, 张宝顺,,
来源：中国激光 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：王菲,王晓华,王金艳,房丹,魏志鹏,方铉,,
来源：发光学报 年份：2012
给出了808 nm/980 nm双反射带布拉格反射镜的反射谱线,建立了光泵浦双反射带半导体激光器件的热学模型及其内部热载荷分布形式,运用有限元分析方法,详细分析了双反射带光泵浦...
[期刊论文] 作者：吕珊珊, 楚学影, 王记萍, 方芳, 李金华, 方铉, 魏志,
来源：发光学报 年份：2014
采用溶剂热法,通过调节水和乙醇混合液的比例制备了多种形貌的ZnO微米结构.利用扫描电子显微镜(SEM)对ZnO微米结构的形貌及尺寸进行了观察.采用可以实现纳米级微观区域光谱采...
[期刊论文] 作者：李晓妮,方铉,陈新颖,方芳,魏志鹏,李金华,楚学影,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2013
用原子层沉积方法在柔性PET衬底上制备了AZO（掺铝氧化锌）薄膜,研究了Al的掺杂对ZnO薄膜的形貌,光学性能和电学性能的影响,结果表明：当掺杂量约为3%的AZO薄膜表面比较平整,晶粒分...
[期刊论文] 作者：王许杰,方芳,魏志鹏,方铉,李金华,楚学影,周政,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2013
利用原子层沉积（ALD）方法在Si（100）片上沉积200nm的ZnO薄层作为籽晶层,通过化学气相沉积（CVD）法常压下在籽晶层上生长ZnO晶体结构。通过X射线衍射（XRD）、场发射电子扫描显微镜（FESEM）和......
[期刊论文] 作者：孙冬晓, 李金华, 方铉, 陈新影, 方芳, 楚学影, 魏志,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2014
针对目前关于退火温度对原子层沉积法(ALD)制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性质影响鲜有报道的现象,进行了相应的实验研究分析。采用ALD在石英衬底上制备ZnMgO合金薄膜,对制得的...
[期刊论文] 作者：乔闯, 苏瑞巩, 房丹, 唐吉龙, 方铉, 王登魁, 张宝顺,
来源：光子学报 年份：2018
为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题,利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段,对980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面...
[期刊论文] 作者：周政,李金华,方芳,楚学影,方铉,魏志鹏,王晓华,,
来源：中国光学 年份：2014
利用化学气相沉积法（CVD），气-液-固（VLS）生长法则在表面溅有金属Au催化剂层的1cm×1cm的Si片上制备三元Zn2GeO4纳米线。X射线衍射仪（XRD）测试结果表明，锌源与锗源质量比为8：1时可......
[期刊论文] 作者：安宁,李占国,何斌太,芦鹏,方铉,魏志鹏,刘国军,,
来源：强激光与粒子束 年份：2014
讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性（带阶）的影响.给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系.分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价...
[期刊论文] 作者：吕珊珊, 方铉, 王佳琦, 方芳, 赵海峰, 楚学影, 李金华,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2014
...
[期刊论文] 作者：王许杰,方芳,楚学影,方铉,李金华,魏志鹏,王晓华,,
来源：发光学报 年份：2014
利用简单、温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列.通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、元素能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、室温和变温...
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