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[学位论文] 作者：施宜军,,
来源：电子科技大学 年份：2019
硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件具有击穿电压高、工作温度高和工作频率高等优异性能,是电力电子领域极为理想的半导体器件,现已成为国际半导体领域的研究热点之一。因增强型...
[期刊论文] 作者：胡官昊, 陈万军, 施宜军, 周琦, 张波,,
来源：电源学报 年份：2016
氮化镓功率器件以其优异的高速、高效特性而有望在电源转换领域取得广泛应用。在Buck开关电源应用中,系统采用GaN HEMT替换传统Si功率器件后,系统死区损耗成为阻碍系统效率提...
[期刊论文] 作者：吴珊,李英祥,徐鸿雁,张仕霞,施宜军,,
来源：计算机应用研究 年份：2021
通过对文本内容中敏感词过滤方法及相关技术的研究,提出了一种基于改进的Trie树和DFA的敏感词过滤算法,解决了敏感词过滤技术中的人工干扰、分词障碍等关键问题,提高了文本中敏感词过滤的准确性和有效性。提出的算法包括三个步骤:基于排列组合的数学原理对中文......
[期刊论文] 作者：崔兴涛, 陈万军, 施宜军, 信亚杰, 李茂林, 王方洲,,
来源：半导体技术 年份：2019
基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响。在栅槽刻蚀方面,采用了一种感应耦合等离子体（ICP）干法刻蚀技术与高温热氧......
[期刊论文] 作者：高吴昊, 陈万军, 刘超, 陶宏, 夏云, 谯彬, 施宜军,,
来源：半导体技术 年份：2004
门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层...
[期刊论文] 作者：崔兴涛, 陈万军, 施宜军, 信亚杰, 李茂林, 王方洲, 周琦,
来源：null 年份：2019
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[期刊论文] 作者：黄云,周斌,杨晓锋,陈思,付志伟,施宜军,王宏跃,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2021
随着"摩尔定律"不断地逼近物理极限,微系统集成技术被普遍认为是推动集成电路芯片微型化和多功能化的新引擎。但是通过三维堆叠、异质/异构集成等实现小型化、多功能化的同时,也给微系统带来了许多新的可靠性问题。针对微系统封装技术的发展和可靠性评估的需求,......
[期刊论文] 作者：周斌,陈思,王宏跃,付志伟,施宜军,杨晓锋,曲晨冰,时林林,
来源：电子与封装 年份：2021
随着智能移动、智能汽车、物联网、可穿戴设备等市场的快速增长,兼具信号感知、信号处理、信令执行和赋能等多功能集成的微系统技术成为业界关注的焦点.在深度摩尔和超越摩尔的共同推动下,微系统技术正呈现出工艺节点不断缩小、集成密度不断提高、结构框架软硬......
[期刊论文] 作者：高吴昊,陈万军,刘超,陶宏,夏云,谯彬,施宜军,邓小川,李肇基,,
来源：半导体技术 年份：2019
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[会议论文] 作者：施宜军,黄森,王鑫华,陈晓娟,刘果果,魏珂,刘新宇,陈万军,周琦,张波,李水明,孙钱,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等优点,使得AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs/MIS-HEMTs)具有低的导通电阻、高的工作频率以及较低的栅极漏电,非常适用于下一代电子装......
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