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[期刊论文] 作者：沈良,曲风钦,宋世庚,
来源：功能材料 年份：2001
介绍了Y掺杂对BaTiO3系半导化薄膜PTCR特性的影响.实验发现,当Y掺杂浓度在0.1mol%～1.5mol%时,薄膜的室温电阻为10～50Ω,突变温区为1℃.在[Y3+]=0.7mol%时,薄膜的升阻比达106.实...
[期刊论文] 作者：黄士勇,曲风钦,苗晔,,
来源：真空电子技术 年份：1999
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[期刊论文] 作者：陶明德,谭辉,曲风钦,李国华,韩英,,
来源：自动化仪表 年份：1988
高频溅射生长的SiC非晶薄膜是一种含有Si-Si、Si-C、C-C键的混非晶结构。文中着重介绍了SiC非晶薄膜的直流电导、交流特性、退火性质、老化特性和R-T特性,为SiC薄膜温度传感...
[期刊论文] 作者：黄士勇,王德苗,曲风钦,苗晔,
来源：真空电子技术 年份：1998
提出并研制成功了一种新型旋转圆柱形磁控溅射器。由于该溅射器采用静止的电磁场及匀速旋转圆简形靶材的新型结构，因此它具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。可......
[期刊论文] 作者：黄士勇,曲风钦,苗晔,孟兆坤,
来源：真空科学与技术 年份：2001
提出一种新型结构与材料的全固态电致变色器件，及其氢化技术和制作工艺。在实验室中研制出2 cm×2 cm可重复转换、性能优良的电致变色器件，为大面积电致变色器件连续自动生...
[期刊论文] 作者：黄士勇,曲风钦,苗晔,董维义,
来源：真空电子技术 年份：1999
在大型薄膜生产设备中，膜厚的横向均匀性是一项重要指标。本文提出用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ 方法模拟大型磁控溅射器膜厚横向分布的计算方法，计算了靶的几何结构及各种溅射参数对膜厚横向分布的影......
[期刊论文] 作者：贾锐,曲风钦,武光明,宋世庚,陶明德,
来源：功能材料 年份：1999
本研究首次报导了利用喷雾热分解法成功地制备出ＺｎＯ 低压压敏薄膜。沉积温度３５０ ℃，沉积时间２ｈ ，退火温度６５０ ℃，ＸＲＤ 谱表明薄膜已良好晶化且薄膜的生长具有取向性。所制备的薄膜的非线性系数......
[期刊论文] 作者：黄士勇,曲风钦,苗晔,孟兆坤,辛志荣,
来源：功能材料 年份：2001
全固态电变色器件制作工艺复杂,氢化(或锂化)工艺是制备WO3电变色器件的关键技术.本文主要论述氢化工艺的制备方法、工艺过程及实验结果等....
[期刊论文] 作者：黄士勇,曲风钦,戴振宏,苗晔,钟玉荣,王仲训,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
用Cu、In、Se三元扇形复合靶,采用射频磁控反应溅射技术,在低温Indium Tin Oxude(ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形CuInSe2(CIS)量子点.制备材料的化学计量比可通过三...
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