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[期刊论文] 作者：李观启,曾勇彪,
来源：半导体学报 年份：1998
用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面，能有效减小反向电流和理想因子，增高势垒高度和减小势垒电容，对于较大的轰击能量和束流密度，特性改善的效果较显著，但过长的轰击时......
[期刊论文] 作者：曾勇彪,黄美浅,
来源：广东电子 年份：1994
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[会议论文] 作者：曾勇彪,王萃铭,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
利用低能（55OeV）氩离子束轰击多晶硅栅金属-氧化物-半导体（MOS）电容器背面，能改善SiO-Si的界面特性。结果表明，选取适当的工艺条件，能有效提高SiO-Si界面对热电子轰击的硬度。该结果......
[期刊论文] 作者：骆桂良,李观启,曾勇彪,廖亦水,曾绍洪,
来源：半导体技术 年份：1984
实验发现,在硅平面器件硼预沉积时,硼杂质在二氧化硅中的扩散系数远远偏离理论值.为进一步解析这种现象,本文提出了一种硼杂质在二氧化硅中具有双重扩散机构及分层扩散的初步...
[期刊论文] 作者：李观启,骆桂良,曾勇彪,廖亦水,曾绍洪,,
来源：华南工学院学报 年份：1983
本文对常规PN结隔离工艺提出了一种简单易行的改革方案。其主要特点是采用“三步扩散法”实现硼隔离扩散,减薄了掩蔽硼隔离扩散所需的二氧化砖层厚度,从而缩短了高温热处理时...
[期刊论文] 作者：李观启,曾勇彪,骆桂良,廖亦水,黄美浅,,
来源：半导体技术 年份：1986
本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这一方法,既能保证平面晶体管本征基区所要求的...
[期刊论文] 作者：李观启,曾勇彪,王剑飞,黄美浅,曾绍鸿,
来源：半导体学报 年份：1998
用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面，能有效减小反向电流和理想因子，增高势垒高度和减小势垒电容．对于较大的轰击能量和束流密度，特性改善的效果较显著．但过长的轰击时......
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