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[学位论文] 作者：曾天志,,
来源：电子科技大学 年份：2006
功率VDMOS(垂直双扩散MOSFET)以其高输入阻抗、高功率增益、驱动电路简单和热稳定性好等优点,在高速度和中等功率场合得到了广泛的应用。然而,HSPICE模型库中传统的MOSFET模...
[期刊论文] 作者：曾天志,张波,罗萍,蒲奎,赵露,,
来源：微电子学 年份：2006
提出了一种新颖的功率MOSFET宏模型结构,详细介绍了宏模型建立的整个流程;并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。此模型考虑了功率MOSFET必要的二阶效...
[会议论文] 作者：向军利,张波,衡草飞,陈林,曾天志,
来源：中国电工技术学会电力电子学会2004年第九届学术年会 年份：2004
本文提出一种反向恢复性能改善了的功率VDMOSFET结构.该结构中,在源极金属下的p-body区加做一个n+区以形成三极管(见图6).借助仿真软件ISE(Integrated Systems Engineering)对该器件从工艺到器件特性进行了完整的仿真设计,结果表明:改进了的24V/35A VDMOSFET器......
[期刊论文] 作者：肖志强, 向军利, 衡草飞, 陈林, 曾天志, 陈万军, 张,
来源：微电子学 年份：2005
提出了在VDMOS FET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法.数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDM...
[期刊论文] 作者：肖志强,向军利,衡草飞,陈林,曾天志,陈万军,张波,
来源：微电子学 年份：2005
提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDM...
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