搜索筛选:
搜索耗时0.0908秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 8 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：朱亚旗,
来源：西安理工大学 年份：2013
热光伏电池即红外光电池，就是将高温物体的热辐射能通过半导体pn结转换成电能。本文讨论InP衬底外延In0.68Ga0.32As热光伏电池研制工作中的一些关键问题，主要内容包括: 1.由...
[期刊论文] 作者：朱亚旗,沈利娟,
来源：科学技术创新 年份：2019
半导体材料是制作功率器件、晶体管、集成电路、光电器件的基础材料,随着社会不断的进步和发展,直接或间接的影响着人们的生活,同时半导体业的也是物理材料研究的主要方向之...
[期刊论文] 作者：高小丽, 高梦莹, 程海松, 朱亚旗,,
来源：日用电器 年份：2018
本文提出一种开关电源联合仿真方法,充分考虑开关电源电路中关键元器件的动态参数和分布参数,利用Ansys软件对开关电源进行联合建模仿真。通过仿真结果和实际测试结果的对比,...
[会议论文] 作者：朱亚旗,陆书龙,季莲,赵勇明,谭明,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本文主要研究了在InP衬底上利用MOCVD外延技术成功生长了晶格失配大于1.1％厚度约为3微米的In0.68Ga0.32As薄膜材料；通过As组分的改变，在InAsxP1-x缓冲层中形成了张应变和压...
[期刊论文] 作者：谭明, 季莲, 赵勇明, 朱亚旗, 陈治明, 陆书龙,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2004
用在InP衬底上失配生长的能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As制成了热光伏(TPV)电池。对其光伏特性的测试分析表明,通过对As组分渐变的InAsxP1-x缓冲层厚度的优化,可以将晶格失配引...
[期刊论文] 作者：朱亚旗,陈治明,陆书龙,季莲,赵勇明,谭明,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2013
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失...
[会议论文] 作者：谭明,朱亚旗,季莲,赵勇明,何巍,陆书龙,陈治明,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
在InP衬底上通过金属有机物化学汽相淀积(Metal organic chemical vapordeposition,MOCVD)的方法制成了能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As热光伏电池,对其光伏特性的研究表明,...
[会议论文] 作者：谭明,季莲,赵勇明,何巍,朱亚旗,陈治明,陆书龙,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
在InP衬底上通过金属有机物化学汽相淀积(Metal organic chemical vapordeposition,MOCVD)的方法制成了能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As热光伏电池,对其光伏特性的研究表明,通过基区宽度的优化,减小了基区的串联电阻,从而大幅改善了热光伏电池的性能.在AM1.5G标准......
相关搜索：
