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[学位论文] 作者：朱利恒,,
来源：电子科技大学 年份：2010
文章从技术发展角度总结了IGBT发明初期的发展历史,比较全面的介绍了动态控制IGBT阳极发射结的研究进展与现状,并列举了目前比较常见的能提高IGBT抗闩锁能力的设计方法。采用...
[学位论文] 作者：朱利恒,,
来源：电子科技大学 年份：2014
在新能源、高铁、电动汽车、智能电网这些绿色产业或产品中,绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)是必不可少的核心功率器件。随着低碳、节能概念在...
[期刊论文] 作者：朱利恒,陈星弼,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
The phenomenon that the wide P-emitter region in the conventional reverse conducting insulated gate bipolar transistor(RC-IGBT) results in the non-uniform curre...
[期刊论文] 作者：朱利恒,陈星弼,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
A physically based equation for predicting required p-emitter length of a snapback-free reverseconducting insulated gate bipolar transistor(RC-IGBT) with field-...
Novel reverse conducting insulated gate bipolar transistor with anti-parallel MOS controlled thyrist
[期刊论文] 作者：朱利恒,陈星弼,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
Novel reverse-conducting IGBT(RC-IGBT) with anti-parallel MOS controlled thyristor(MCT) is proposed.Its major feature is the introduction of an automatically co...
[会议论文] 作者：朱旭强,朱利恒,
来源：2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会 年份：2009
本文应用medici仿真工具，分析了ESD防护电路中常用的低压触发可控硅(LVTSCR)结构，讨论了几种影响性能的主要因素，同时在特定CMOS工艺下设计了开启电压为16V的LVTSCR结构，最后进一...
[期刊论文] 作者：朱利恒,蒋其梦,陈星弼,,
来源：微电子学 年份：2010
研究了一种新的IGBT发射极元胞,并给出其设计方法。该元胞在不影响单位面积有效沟道宽度的情况下,将源衬底的P+区与源N+区并排垂直于沟道一侧放置,以缩短空穴路径。与采用深P...
[期刊论文] 作者：肖强,梁利晓,朱利恒,覃荣震,罗海辉,
来源：微电子学 年份：2020
针对机车牵引用3 300 V/1 500 A IGBT功率模块,采用TCAD仿真工具研究了不同栅极结构对器件静态和动态参数的影响.当平面栅IGBT采用栅极台面结构且台面厚度逐渐降低时,器件的...
[期刊论文] 作者：刘国友,黄建伟,覃荣震,罗海辉,朱利恒,,
来源：中国电机工程学报 年份：2016
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体...
[期刊论文] 作者：黄建伟,刘国友,余伟,罗海辉,朱利恒,覃荣震,,
来源：半导体技术 年份：2016
为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发...
[期刊论文] 作者：周荣斌,杨平,唐茂森,叶峻涵,沈俊,刘东,朱利恒,
来源：机车电传动 年份：2021
击穿电压是IGBT的一个重要参数,而器件的击穿电压主要与终端结构有关,所以对终端结构的研究一直备受关注.文章设计了一种1700 V的IGBT终端结构,采用场限环和场板相结合的终端技术,降低了器件表面电场峰值,提高了其击穿电压.通过仿真分析多组不同场板长度和氧化......
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