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[期刊论文] 作者：朱慧珑,,
来源：大学物理 年份：2015
1师生缘1982年,我将要从中国科学技术大学本科毕业,正在考虑报考理论物理研究生.正巧我父亲的同事说北京师范大学低能核物理研究所最近来了一位非常著名的科学家黄祖洽院士做...
[期刊论文] 作者：朱慧珑,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1990
给出了在离子注入过程中金属间化合物生长的一个数学模型。在准静态近似下,利用分区处理和引入快、慢变量的方法,给出了该模型的近似解。得到了生长速率与微缺密度、注量率、...
[期刊论文] 作者：朱慧珑,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1985
本文在已知定态薛定谔方程的本征函数{|E_n}和能谱{E_n}的条件下,i)给出了当时,求解方程的本征函数{|E~m}和能谱{E~m}的一种方法.ii)指出在一般情况下(a)式中简并度为 m(>1)...
[会议论文] 作者：朱慧珑,
来源：2016北京微电子研究生学术论坛 年份：2016
CMOS技术是集成电路和IT工业的基础。本讲座在介绍CMOS逻辑技术发展简史的基础上，讲解当前主流技术(FINFET、FD-SOI)及在研技术(Nanowire-FET、Tunneling-FET和Negative-capacitance-FET等)。...
[期刊论文] 作者：肖卫平,朱慧珑,,
来源：微电子学 年份：2012
随着芯片集成度的不断提高以及CMOS工艺复杂度的增加，集成电路的成本及性能方面的问题越来越突出，基于TSV技术的三维集成已成为研究热点，并很有可能是未来集成电路发展的方向。......
[期刊论文] 作者：郭浩,朱慧珑,黄伟兴,
来源：半导体技术 年份：2021
通过使用工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真技术提出了一种新型的带有夹层的垂直U型栅极隧穿场效应晶体管(TFET)结构。该器件是通过优化基于Ge的栅极金属核垂直纳米线TFET结构获得的。通过在沟道中增加重掺杂夹层,器件的平均亚阈值摆幅(SSavg)得到了改善;又通过改变......
[期刊论文] 作者：陈慧余,朱慧珑,江仕成,
来源：大学物理 年份：1985
本文介绍一套自制的《磁光效应》教学实验装置，用光电法精密测量Faraday旋光谱．主要介绍实验装置以及用它测量的Faraday旋光谱．...
[期刊论文] 作者：马师帅,朱慧珑,黄伟兴,,
来源：半导体技术 年份：2020
介绍了一种锗硅(Si1-xGex)沟道双栅(DG)负电容(NC)隧穿场效应晶体管(TFET),在Sentaurus TCAD软件中通过耦合Landau-Khalatnikov (LK)模型的方法对器件进行了仿真.首先分析了...
[期刊论文] 作者：万光星,王桂磊,朱慧珑,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
A promising technology named epitaxy on nano-scale freestanding fin(ENFF) is firstly proposed for heteroepitaxy This technology can effectively release total st...
[期刊论文] 作者：尹海洲,刘洪刚,朱慧珑,王文武,刘云飞,,
来源：科技创新导报 年份：2016
该研究2013年度主要围绕研究高迁移率半导体表面态及钝化机理,探索热力学稳定的高k栅介质材料方面,主要开展解决等效氧化层厚度表征,金属栅功函数的调制、沟道迁移率的下降以...
[期刊论文] 作者：于伟泽,尹海洲,骆志炯,朱慧珑,梁擎擎,许静,,
来源：微电子学 年份：2014
提出了一种用来提高短沟道MOS管性能的非对称内表面氧化层结构。该结构是在MOS管的源端附近生长一层厚的内表面氧化层,以抑制载流子迁移率的降低,同时,在MOS管的漏端附近生长...
[期刊论文] 作者：贾昆鹏,杨杰,粟雅娟,聂鹏飞,钟健,梁擎擎,朱慧珑,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
The stability of a graphene field effect transistor(GFET) is important to its performance optimization, and study of hysteresis behavior can propose useful sugg...
High-Mobility P-Type MOSFETs with Integrated Strained-Si_(0.73)Ge_(0.27) Channels and High-κ/Metal G
[期刊论文] 作者：毛淑娟,朱正勇,王桂磊,朱慧珑,李俊峰,赵超,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
Strained-Si_(0.73)Ge_(0.27) channels are successfully integrated with high-κ/metal gates in p-type metal-oxide- semiconductor field effect transistors(pMOSFETs...
[期刊论文] 作者：童小东,吴昊,梁擎擎,钟会才,朱慧珑,赵超,叶甜春,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
A vertical two-terminal silicon PNPN diode is presented for use in a high-density memory cell. The device design for high-speed operations was studied with expe...
[期刊论文] 作者：赵恒亮,朱慧珑,钟健,马小龙,魏星,赵超,陈大鹏,叶甜春,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
We propose a novel backgate sandwich nanowire MOSFET(SNFET), which offers the advantages of ETSOI(dynamic backgate voltage controllability) and nanowire FETs(go...
An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer s
[期刊论文] 作者：马雪丽,杨红,王文武,殷华湘,朱慧珑,赵超,陈大鹏,叶甜春,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
We evaluated the TiN/TaN/TiAl triple-layer to modulate the effective work function (EWF) of a metal gate stack for the n-type metal–oxide–semiconductor (NMOS)...
The effects of process condition of top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSC
[期刊论文] 作者：马雪丽,杨红,王文武,殷华湘,朱慧珑,赵超,陈大鹏,叶甜春,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
We introduced a Ta N/Ti Al/top-Ti N triple-layer to modulate the effective work function of a Ti N-based metal gate stack by varying the Ta N thickness and top-...
[期刊论文] 作者：吴昊,许淼,万光星,朱慧珑,赵利川,童小东,赵超,陈大鹏,叶甜春,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
The importance of substrate doping engineering for extremely thin SOI MOSFETs with ultra-thin buried oxide(ES-UB-MOSFETs) is demonstrated by simulation.A new su...
[期刊论文] 作者：许淼,殷华湘,朱慧珑,马小龙,徐唯佳,张永奎,赵治国,罗军,杨红,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2020
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[期刊论文] 作者：赵治国,殷华湘,朱慧珑,张永奎,张严波,秦长亮,张青竹,张月,赵,
来源：真空科学与技术学报 年份：2016
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