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[学位论文] 作者：朱美栋,
来源：华东理工大学 年份：2015
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[期刊论文] 作者：傅济时,朱美栋,
来源：半导体学报：英文版 年份：1993
我们用高灵敏的肖特基结注入电流检测磁共振方法对蓝宝石上外延硅膜进行了研究。实验观察到一种向同性非结称的磁共振谱，经拟合它由线宽１０＾－＾３Ｔ，ｇ值分别为２．００５５及２．０１２的二线组合而成，二线强度比３．７：１。......
[期刊论文] 作者：傅济时,朱美栋,
来源：半导体学报 年份：1993
本文首次报道ｐ＾＋－ｉ－ｎ＾＋ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池的注入电流检测磁共振研究。实验研究了该自旋有关的注入电流效应与正向注入电流，辐照光强以光电压检测磁共振（ＰＤＭＲ）的关系。结果表明该效应有比ＰＤＭＲ更高的灵敏度，可......
[期刊论文] 作者：罗明兰 朱美栋,
来源：民主 年份：2016
人物名片 叶浩，民进会员，黄桷坪钢琴博物馆创办者、馆长，现任重庆九龙坡区音协主席，重庆市硬笔书法家协会理事，重庆青年商会理事，重庆九龙坡区政协委员。北大政府管理学院硕士研究生，菲律宾德拉萨大学博士。 “放在全球也是最棒的” “没到过凡尔赛，不算到过巴......
[期刊论文] 作者：崔先云,朱美栋,
来源：铁合金 年份：2021
介绍了锰硅合金炉(干)渣的综合处理。为了实现"吃干榨净"目标,通过调整炉料结构、降低炉渣碱度及锰硅合金/高碳锰铁适时互转等技术措施,找到了解决延长炉衬寿命、减少富锰渣...
[会议论文] 作者：朱美栋,傅济时,廖洪波,肖荣福,
来源：第九届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：1998
对低于相应金瞩渗透阀值浓度的Au（Pt）：SiO，AlO，TiO等复合薄膜，经快速热退火后利用70ps的短激光脉冲的简并四波混频方法（DFWM）测量了它们的三阶非线性光学极化率，测量得知对含高浓度Au：S......
[期刊论文] 作者：傅济时,吴恩,秦国刚,朱美栋,郁元桓,
来源：半导体学报 年份：1993
我们用高灵敏的肖特基结注入电流检测磁共振方法对蓝宝石上外延硅膜进行了研究。实验观察到一各向同性非对称的磁共振谱,经拟合它由线宽10~(-3)T,g值分别为2.0055及2.012的二...
[期刊论文] 作者：傅济时,吴恩,毛晋昌,朱美栋,廖显伯,
来源：半导体学报 年份：1993
本文首次报道p~+-i-n~+a-Si:H太阳电池的注入电流检测磁共振研究。实验研究了该自旋有关的注入电流效应与正向注入电流、辐照光强以及光电压检测磁共振(PDMR)的关系。结果表...
[会议论文] 作者：朱美栋[1]傅济时[2]廖洪波[3]肖荣福[4],
来源：第九届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：1998
对低于相应金瞩渗透阀值浓度的Au（Pt）：SiO，AlO，TiO等复合薄膜，经快速热退火后利用70ps的短激光脉冲的简并四波混频方法（DFWM）测量了它们的三阶非线性光学极化率，测量得知对含高浓度Au：S......
[期刊论文] 作者：傅济时,吴恩,朱美栋,张伯蕊,杨思和,黄和金,
来源：量子电子学报 年份：1999
１９８５年Ｋｒｏｔｏ等人在由激光烧蚀石墨产生的分子簇中发现了由６０个碳原子组成的碳分子，它具有足球状的空笼结构，被命名为ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ富勒碳一６０），随后又发现空笼内含有金属原子（离子）的富勒碳（Ｍ＠Ｃ。０）及含更多碳原子的......
[期刊论文] 作者：陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,乔永平,吴恩,朱美栋,秦国刚,
来源：量子电子学报 年份：2000
氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一．浅杂质（包括Ｐ型和ｎ型的）离子注入ＧａＮ是研究 ＧａＮ的主要课题之一．本文研究注碳（Ｃ） ＧａＮ经不同温度退火后的Ｒａｍａｎ和 Ｈａｌｌ效应，发现......
[期刊论文] 作者：陈开茅,陈源,傅济时,张伯蕊,朱美栋,乔永平,孙允希,武兰青,
来源：数据采集与处理 年份：2001
传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN...
[期刊论文] 作者：傅济时,朱美栋,毛晋昌,吴恩,秦国刚,魏根栓,张钰华,王永鸿,
来源：半导体学报 年份：1994
本文报道ｒ辐照ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果。实验结果表明ｒ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３×１０＾－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来......
[会议论文] 作者：陈开茅,冉广照,陈源,付济时,张伯蕊,朱美栋,乔永平,武兰青,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
固体C(或C)是碳元素除石墨,金刚石之外的第三种同素异构体,它具有若干重要性质,比如它可以被做成超导体,其超导温度高于50K,又如可以做成半导体,它易于和多种重要半导体(Si,GaAs,GaN,InP)形成良好的异质结,其整流比高达10~10.十多年来,固体C(C)一直是被众多的物......
[期刊论文] 作者：张远鹏,王楚,张合义,朱美栋,汪太辅,施来荣,陆燕仲,武润玺,柴玉明,,
来源：实验力学 年份：1987
光调制自动光测弹性仪,能对平面光弹模型(包括三维冻结切片)上待测点的主应力方向α和主应力差(σ_1-σ_2)进行逐点自动采集、处理。可计算截面的σ_x、σ_y、τ_(xy),并实时显示、打印、绘图。它测量速度快,精度高,结果可靠。......
[会议论文] 作者：陈开茅;袁放成;泉州师院物理系(福建泉州);陈娓兮;郭建栋;徐晓琳;张伯蕊;乔永平;朱美栋;,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
在真空中,将C膜淀积在n型和p型InP衬底上形成C固体/n-InP和C固体/p-InP两种接触,以及对它们的电学性质作了研究.结果表明它们均是良好的异质结,对于C/n-InP,势垒高度的典型值...
[会议论文] 作者：陈开茅,袁放成,泉州师院物理系(福建泉州),陈娓兮,郭建栋,徐晓琳,张伯蕊,乔永平,朱美栋,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
在真空中,将C膜淀积在n型和p型InP衬底上形成C固体/n-InP和C固体/p-InP两种接触,以及对它们的电学性质作了研究.结果表明它们均是良好的异质结,对于C/n-InP,势垒高度的典型值为0.698eV,在±1V偏压时,其整流比大于10;对于C/p-InP,势垒高度典型值为0.719eV,以及在......
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