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[学位论文] 作者：朱述炎,,
来源：华中科技大学 年份：2014
随着器件特征尺寸缩小到22nm及以下，传统的SiO2/Si系统已经不能满足高速度、高性能的CMOS集成电路的需要。III-V族半导体材料具有较高的电子迁移率和较低的功耗，吸引了越来越多...
[期刊论文] 作者：朱述炎,叶青,汪礼胜,徐静平,,
来源：微电子学 年份：2014
利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行...
[期刊论文] 作者：黄苑,徐静平,汪礼胜,朱述炎,,
来源：物理学报 年份：2013
通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙散射等主要散射机理,建立了以Al2O3为栅介质InxGa1-xAsn沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型...
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