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[期刊论文] 作者：李瑞贞,李多力,杜寰,海潮和,韩郑生,,
来源：电子器件 年份：2007
阈值电压是MOSFET最重要的参数，阈值电压模型是MOSFET模型中最重要的部分．目前模型参数的提取主要通过商业软件来完成，商业软件由于价格昂贵以及内部机理的复杂性限制了它们的应......
[期刊论文] 作者：卜建辉, 许高博, 李多力, 蔡小五, 王林飞, 韩郑生,,
来源：半导体技术 年份：2004
提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体...
[期刊论文] 作者：陈曦, 张静, 朱慧平, 郑中山, 李博, 李多力, 张金晶,
来源：半导体技术 年份：2004
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