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[期刊论文] 作者：李宇柱,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
与硅相比,4H-SiC材料具有高功率、耐高温、高频、高集成度、高效率、高抗辐射等优势,是制作电力电子器件的理想材料,近十年以来SiC电力电子器件性能不断提高。回顾了SiC电力...
[期刊论文] 作者：李春,陈刚,李宇柱,周建军,李肖,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
利用B＋离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过MonteCarlo软TRIM模拟，优化离子注入能量和剂量。在SiCMESFET中测量两组不同条件的样品及在GaNHEMT测量了三组同种条件的样...
[期刊论文] 作者：李宇柱,倪炜江,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基（SBD）二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A（正向压降2.1V）。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温......
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赞,陈辰,陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
碳化硅（4H-SiC）材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速率和高热导率等优良特性，因此SiC电力电子器件在高功率、大电流、高频率、耐高温和抗辐射等方面相对于Si器件性能要优胜得多，被......
[期刊论文] 作者：陈刚,王雯,柏松,李哲洋,吴鹏,李宇柱,倪炜江,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,管邦虎,陈征,柏松,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管（VJFET）。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,王雯,贾铃铃,柏松,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
在76．2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管（JBS）。在室温下，器件反向耐压达到2700V。正向开启电压为0．8V，在VF=2V时正向电流密度122A／cm^2，比导通......
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