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[期刊论文] 作者：葛晓红, 张瑞英, 郭春扬, 李安男, 王帅达,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2004
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构开展量子阱混杂技术研究。通过对InGaAsP量子阱结构进行不同能量P离子注...
[期刊论文] 作者：葛晓红,张瑞英,郭春扬,李安男,王帅达,
来源：激光与光电子学进展 年份：2020
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致发光(PL)谱进行表征。实验......
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