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[会议论文] 作者：刘金平,黄大定,李建平,李灵霄,朱世荣,叶志仙,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：于磊,曾一平,孔梅影,潘量,李灵霄,李晋闽,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：于磊,曾一平,孔梅影,潘量,李灵霄,李晋闽,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：崔利杰,曾一平,王保强,朱战平,李灵霄,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
采用Shubnikov-de Hass(SdH)振荡测试技术研究了GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的磁输运特性,并在窄带隙和掺杂浓度高的材料中发现了零场自旋分裂现象....
[会议论文] 作者：崔利杰,曾一平,王保强,朱战平,李灵霄,林兰英,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的电子迁移率与电子浓度都非常接近,这说明我们采用阶梯式变组分的方法生长MM-HEMT的buffer缓冲层是成功的.......
[期刊论文] 作者：于磊,曾一平,潘量,孔梅影,李晋闽,李灵霄,周宏伟,
来源：半导体学报 年份：2000
研究 Ga As基 Inx Ga1 -x As/ Ga As量子点 (QD)的 MBE生长条件 ,发现在一定的 / 比下 ,衬底温度和生长速率是影响 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD形成及形状的一对重要因素 ,其...
[期刊论文] 作者：刘学锋,刘金平,李建平,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1998
用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的Ｎ型及Ｐ型载流子浓度范......
[期刊论文] 作者：曾一平,孔梅影,王晓亮,朱世荣,李灵霄,李晋闽,
来源：电子显微学报 年份：1997
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激......
[期刊论文] 作者：刘学锋,王玉田,刘金平,李建平,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1999
用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制......
[会议论文] 作者：崔利杰,朱战平,王保强,张昉昉,曾一平,李灵霄,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
采用MEB技术制备了一系列沟道层不同In组分含量的MM-HEMT材料.结果发现,随In组分含量的变化,材料的电子迁移率有一最佳值,对这一结果给予了解释....
[会议论文] 作者：段瑞飞,曾一平,孔梅影,张昉昉,朱战平,王保强,李灵霄,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
我们用MBE生长了低组分InGaAs/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化的过程.同时,原子力显微镜(AFM)实验表明,确实形成了低组分InGaAs/GaAs量子点,其点密度在10数量级范围内.......
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,曾一平,李建平,李灵霄,朱世荣,
来源：红外与毫米波学报 年份：1997
用ＧＳＭＢＥ方法生长出高质量的具有不同阱宽的Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ／ＩｎＰ压应变量子阱结构材料。通过双晶Ｘ射线衍射测量及计算机模拟确定了阱层中的Ｉｎ组份。对材料进行了低温光致发光谱测试，确定了压应变量子阱中的......
[期刊论文] 作者：孙殿照，王晓亮，李晓兵，国红熙，阎春辉，李建平，朱世荣，李灵霄，,
来源：半导体学报 年份：1995
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[期刊论文] 作者：袁瑞霞,阎春辉,国红熙,李晓兵,朱世荣,曾一平,李灵霄,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1996
本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．......
[会议论文] 作者：黄大定,刘金平,李建平,林燕霞,刘学锋,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：黄大定,刘金平,李建平,林燕霞,刘学锋,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1999
采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅ ＨＢＴ 结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射区Ｎ 型掺杂浓度２×１０１９～１×１０２０ｃｍ － ３，厚度１００～２００ｎｍ ；基区ＳｉＧｅ合金Ｇｅ 组分０．０５～０．２０，Ｐ型......
[期刊论文] 作者：孙殿照,王晓亮,李晓兵,国红熙,阎春辉,李建平,朱世荣,李灵霄,曾一平,孔梅影,侯洵,
来源：半导体学报 年份：1995
在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品......
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