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[期刊论文] 作者：李燕妃, 吴建伟, 顾祥, 洪根深,,
来源：电子与封装 年份：2018
随着空间技术和核技术的快速发展,越来越多的先进半导体器件应用于军事和航天电子系统。利用TCAD模拟仿真软件,设计一种抗辐射加固30 V N型LDMOS器件结构,开展LDMOS器件的单...
[期刊论文] 作者：李燕妃,吴建伟,谢儒彬,洪根深,,
来源：电子与封装 年份：2017
宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μm CMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究...
[期刊论文] 作者：李燕妃,许德明,赵小琼,凌华海,,
来源：第四军医大学学报 年份：2007
1 临床资料 2005431／2006-06，108例癌症（排除了肺转移可能），化疗后出现肺部感染的患者为研究对象．肺部感染的诊断标准：发热、咳嗽、痰黏稠不利，肺部X线片可见斑片状阴影．108（男71，女37）例......
[期刊论文] 作者：师锐鑫,周锌,乔明,王卓,李燕妃,
来源：电子与封装 年份：2021
SOI(Silicon-On-Insulator)高压LDMOS(Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semicon-ductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应用于模拟开关、栅驱动及电源管理电路中.通过TCAD仿真软件,开展SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点及器件烧毁机理研究.器件在重离子......
[期刊论文] 作者：李燕妃,朱少立,吴建伟,徐政,洪根深,
来源：电子与封装 年份：2019
通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使...
[期刊论文] 作者：罗荣珍,李燕妃,刘冕蓉,黎严,戚佩玲,
来源：实用预防医学 年份：2004
目的了解幼儿园儿童乙型肝炎抗-HBS水平,制定加强免疫措施.方法对941名幼儿园儿童,采用酶联免疫吸附法(ELISA)测定抗-HBS,按年龄、城乡分析比较.结果抗-HBS阳性率为64.19%,其...
[期刊论文] 作者：李燕妃,许德明,赵小琼,陈焕伟,凌华海,
来源：右江民族医学院学报 年份：2007
目的探讨顺铂（PDD）、卡铂（CBP）治疗晚期乳腺癌临床应用效果及不良反应。方法80例晚期乳腺癌随机分成NC组（40例）接受NC方案（盖诺＋卡铂），NP组（40例）接受NP方案（盖诺＋顺铂）治疗。结果NC、NP组近......
[期刊论文] 作者：李燕妃,许德明,赵小琼,陈焕伟,凌华海,
来源：现代肿瘤医学 年份：2006
目的：探讨参麦注射液治疗蒽环类药物所致心脏毒性的疗效与不良反应。方法：使用蒽环类药物化疗的癌症患者82例，随机分为两组：对照组（n=47）；治疗组（n=35）使用参麦注射液50ml＋5％葡萄糖注射......
[期刊论文] 作者：李燕妃,孙家林,王蕾,吴建伟,洪根深,贺琪,
来源：原子能科学技术 年份：2021
由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应(SEGR)和单粒子烧毁效应(SEB).本文介绍了抗辐射加固高压SOI NMOS器件的单粒子烧毁效应.基于抗辐射加固版图和p型离子注入工艺,对高压器件进行抗辐射......
[期刊论文] 作者：李燕妃,孙家林,王蕾,吴建伟,洪根深,贺琪,
来源：原子能科学技术 年份：2021
由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应（SEGR）和单粒子烧毁效应（SEB）。本文介绍了抗辐射加固高压SOI NMOS器件的单粒子烧毁效应。基于抗辐射加固版图和p型离子注入工艺,对高压器件进行抗辐射加......
[期刊论文] 作者：蒋永恒,罗小蓉,李燕妃,王沛,范叶,周坤,王琦,胡夏融,张波,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
A novel CMOS-compatible thin film SOI LDMOS with a novel body contact structure is proposed. It has a Si window and a P-body extended to the substrate through t...
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