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[学位论文] 作者：李秀圣,,
来源：大连理工大学 年份：2009
碳化硅（SiC）由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性,使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的应用前景。与其它宽禁带半导体相比,SiC最大的......
[期刊论文] 作者：李秀圣,
来源：潍坊学院学报 年份：2020
碰撞电离雪崩渡越时间二极管是高频通信领域最具潜力的功率电子学器件,硅和砷化镓材料广泛用于该器件的制造中,但材料较小的禁带宽度限制了二极管的功率输出能力及直流-射频...
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