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[期刊论文] 作者：李锜,
来源：沿海企业与科技 年份：2005
居住环境作为城市空间的一个重要组成部分,而创造一个良好的居住环境不仅仅是要满足人们基本生活功能上的需求,而且更应该考虑人们的社会和精神上的需求,创造出人情化的城市...
[学位论文] 作者：李锜轩,
来源：北京工业大学 年份：2023
随着紫外光的广泛应用,高性能紫外光电探测器（UV photodetector,UV PD）越来越受重要。提高UV PD的光谱响应度和瞬态响应特性,是探测器研究的主要方向。目前的紫外探测波段集中于200～400nm,材料以第三代宽带系半导体为主。特别的,在GaN材料的电子器件中,以GaN/AlGaN......
[期刊论文] 作者：李锜,马旭华,
来源：江苏商论 年份：1993
(一) 自1992年4月1日起,镇江市蔬菜产销全面放开,有效地调动了生产者、经营者的积极性,出现了生产稳定发展,市场繁荣活跃,菜价基本平稳的可喜现象,蔬菜产销体制改革取得了初...
[期刊论文] 作者：朱彦旭,李锜轩,谭张杨,李建伟,
来源：高教学刊 年份：2021
随着西方国家对国内微电子行业封锁限制力度的加大,快速发展国内微电子行业已成为势在必行的趋势,而相关微电子行业人才的培养,则是确保行业发展的基础。良好的微电子专业本科生教育培养模式是获取高质量微电子行业人才的唯一途径。为更好地贯彻国家对高校提出......
[期刊论文] 作者：朱彦旭,杨壮,李赉龙,杨忠,李锜轩,
来源：半导体光电 年份：2021
利用GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅控特性和铁电体的光伏效应机制,制备了一种新型(光敏感层/HEMT)光探测器件.主要研究了复合薄膜和溅射气氛对光敏感薄膜的光伏性能以及...
[期刊论文] 作者：朱彦旭,李锜轩,谭张杨,李建伟,魏昭,王猜,
来源：半导体技术 年份：2021
5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光电器件中的表面等离激元和......
[期刊论文] 作者：朱彦旭,李锜轩,谭张杨,李建伟,魏昭,王猜,
来源：半导体技术 年份：2021
紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UVPD)受到研究人员的重视.GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有...
[期刊论文] 作者：朱彦旭,杨壮,宋会会,李赉龙,杨忠,李锜轩,胡铁凡,
来源：光子学报 年份：2020
利用GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅控特性和锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜的光伏效应,在HEMT器件的栅极处沉积一层PZT铁电薄膜,提出了一种新型的(光敏感层/HEMT)探测结构.为制备...
[期刊论文] 作者：朱彦旭,朱彦旭,杨壮,宋会会,李赉龙,杨忠,李锜轩,胡铁凡,
来源：光子学报 年份：2020
利用GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅控特性和锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜的光伏效应，在HEMT器件的栅极处沉积一层PZT铁电薄膜，提出了一种新型的（光敏感层/HEMT）探测结构.为制备出光伏性能优异的薄膜，对不同的溅射功率和退火温度制备的PZT铁电薄膜进行表面形貌和铁电性能分析......
[期刊论文] 作者：朱彦旭,李建伟,李锜轩,宋潇萌,谭张杨,李晋恒,王晓冬,
来源：北京工业大学学报 年份：2023
在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）光电探测器件中,存在光吸收、光电转换效率低,光电流小等诸多局限.为改善上述问题,基于AlGaN/GaN HEMT结构,提出并成功制备了一种ZnO纳米线感光栅极光电探测器.实验中......
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