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[期刊论文] 作者：杨乃彬,
来源：城市建设 年份：2010
随着基础建设的投入不断加大,高填方路基工程的建设在公路建设中占有很重要的位置.尤其是各地纷纷在修建或者改扩建新的高速公路中,高填方路基高达几十米,然而在如此高度又地...
[学位论文] 作者：杨乃彬,
来源：温州医科大学 年份：2004
内毒素耐受(endotoxin tolerance，ET)是指预先给予小剂量LPS或类似物质刺激机体或单核巨噬细胞等先天免疫细胞后，机体或细胞对致死剂量的LPS表现为低反应性或无反应性的现象。E...
[会议论文] 作者：杨乃彬,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文论述了以GaAs微波半导体器及单片集成电路为代表的化合物半导体技术在无线移动通信技术市场发挥的重要作用,介绍了南京器件研究所采用MBE技术研究开发的一批适于新一代移...
[期刊论文] 作者：李拂晓,杨乃彬,
来源：半导体学报 年份：2004
采用湿法技术发展了磷化铟 MMIC的背面通孔刻蚀工艺 ,PMMA用作粘片剂 ,In P衬底粘附于玻璃版上 ,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜 ,HCl+H3PO4 腐蚀液实现 10 0 μm的通孔腐蚀 .已证...
[期刊论文] 作者：林金庭,杨乃彬,
来源：电子工程师 年份：1997
彩色等离子体显示器件及其技术已开始成熟并正在组织量产。这是２１世纪的世纪性的新的信息技术，它将使彩色显示技术及春产品发生重大变革。因此，我国应该采取重大措施，占领这一领域......
[期刊论文] 作者：杨乃彬,龙浪波,,
来源：四川建筑 年份：2010
在修建或者改扩建新的高速公路中，有的高填方路基高这几十米，传统的路基支挡结构已难满足要求，采用新型的、易美化的结构型式是所有建设单位追求的目标。双绞合六边形金属网加筋......
[会议论文] 作者：彭龙新;李建平;杨乃彬;,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
使用0.25 μm GaAs PHEMT工艺技术和电路反馈技术,设计和制造了两级并联反馈单片低噪声放大器.在放大器的工作频带26-36 GHz内,测得两级放大器增益G≥10.5 dB,带内增益波动△...
[期刊论文] 作者：彭龙新,杨乃彬,林金庭,,
来源：电子学报 年份：2006
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出...
[期刊论文] 作者：彭龙新,李建平,李拂晓,杨乃彬,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
使用0．25μm GaAs PHEMT工艺技术，设计和制造了性能优良的5-22 GHz两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GHz内，测得增益G≥18dB，带内增益波动ZxG≤±0．35dB，噪声系数...
[期刊论文] 作者：林金庭,杨乃彬,契正才,,
来源：电子工程师 年份：1997
彩色等离子体显示器件(PDP)及其应用技术已开始成熟并正在组织量产。这是21世纪的世纪性的新的信息技术,它将使彩色显示技术及其产品发生重大变革。因此,我国应该采取重大措...
[会议论文] 作者：陈效建,林金庭,杨乃彬,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：钱国清, 杨乃彬, 石洁君,
来源：生理学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：王亮,费元春,张斌,杨乃彬,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
结合0.25μm PHEMT工艺线提供的模型,采用Agilent ADS软件设计了Ka波段单平衡混频器,并且在南京电子器件研究所的GaAs工艺线进行了流片生产。经测量,当射频频率为34.1GHz,本...
[期刊论文] 作者：彭龙新,张斌,杨乃彬,邵凯,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
利用国内先进的0.6μm数字Si-MOS工艺,设计了射频MOSFET,并研究了其DC和微波特性:I-V曲线、S参数、噪声参数和输出功率.研究发现,数字电路用Si MOSFET的频率响应较高:频率为1...
[期刊论文] 作者：石洁君,钱国清,杨乃彬,李国祥,
来源：国际呼吸杂志 年份：2020
伏立康唑(C16H14N5OF3)是一种新型三唑类抗真菌药，其具有广谱、强效、耐受性较好、安全性高等优点。它是氟康唑的衍生物，但它比氟康唑抗菌谱更广，杀菌效力更强，能高度选择性抑制多种真菌细胞膜的麦角甾醇的生物合成。伏立康唑对于血脑屏障及血眼屏障渗透性高，对于全......
[期刊论文] 作者：李拂晓,杨乃彬,G.Post,Y.Nissim,A.Falcou,C.Courbet,S.Sanchez,A.Scavennec,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2001
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：陈效建,毛昆纯,林金庭,杨乃彬,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
着重讨论南京电子器件研究所（NEDI）在GaAsMMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的...
[期刊论文] 作者：张有涛,王洋,夏冠群,李拂晓,杨乃彬,
来源：半导体学报 年份：2005
利用蒙特卡罗分析法对GaAs flash ADC的成品率及其关键参数的灵敏度进行了定性及定量的分析．当器件阈值电压的标准偏差增大时，flash ADC的DNL，INL性能会以近似线性的关系降低且...
High breakdown voltage InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors with f_(max)=256 GHz and
[期刊论文] 作者：程伟,赵岩,高汉超,陈辰,杨乃彬,,
来源：半导体学报 年份：2012
An InGaAs/InP DHBT with an InGaAsP composite collector is designed and fabricated using triple mesa structural and planarization technology.All processes are on...
[期刊论文] 作者：张有涛,王洋,夏冠群,李拂晓,杨乃彬,
来源：半导体学报 年份：2005
利用蒙特卡罗分析法对GaAsflashADC的成品率及其关键参数的灵敏度进行了定性及定量的分析.当器件阈值电压的标准偏差增大时,flashADC的DNL,INL性能会以近似线性的关系降低且...
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