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[期刊论文] 作者：梁琦,王如志,杨孟骐,王长昊,刘金伟,
来源：物理学报 年份：2020
采用一种绿色的等离子增强化学气相沉积法,以Al2O3为衬底, Ga金属为镓源, N2为氮源,在不采用催化剂的情况下,成功制备获得了结晶质量良好的GaN纳米线.研究表明,生长温度可显...
[期刊论文] 作者：杨孟骐,姬宇航,梁琦,王长昊,张跃飞,张铭,王波,王如志,
来源：物理学报 年份：2020
作为最重要的第三代半导体材料之一,纳米氮化镓(Ga N)也引起了人们的广泛关注与重视.本文采用微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD...
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