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[会议论文] 作者：杨彦楠;王新强;许福军;卢励武;沈波;,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)作为高功率、高频器件被广泛关注。用InAlN层来替代AlGaN/GaN结构中AlGaN势垒层,HEMTs将提供更高浓度的电荷,这是由于InAlN比AlGaN具...
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