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[学位论文] 作者：林均铭,
来源： 年份：2008
ZnO是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,其室温常压稳定相的晶体结构为六角纤锌矿结构,室温下禁带宽度约为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。作为一种本征n型的半导体材料,ZnO通过施主掺杂(如Al、Ga、Zr等),便可以获得较高的电子浓度,而在可见光区域仍......
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