搜索筛选:
搜索耗时0.1052秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 9 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：林志霆,,
来源：华南理工大学 年份：2018
GaN作为第三代半导体材料,具有宽能带间隙、高电子迁移率以及高导热性等优异特性,基于GaN材料的蓝光LED引领了半导体照明技术的第三代革命。LED未来的发展方向是低成本、大功...
[期刊论文] 作者：周仕忠,林志霆,王海燕,李国强,,
来源：半导体技术 年份：2012
蓝宝石衬底作为发光二极管最常用的衬底,经过不断发展,在克服其与GaN间晶格失配和热膨胀失配问题上,研究人员不断提出解决方案。近期发展起来的图形化衬底技术,除了能减少生...
[会议论文] 作者：李国强,王文梁,林云昊,王海燕,林志霆,
来源：2015广东材料发展论坛——新材料与先进制造大会 年份：2015
...
[期刊论文] 作者：王海燕,林志霆,韩晶磊,钟立义,李国强,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
A new method for patterned sapphire substrate(PSS) design is developed and proven to be reliable and cost-effective.As progress is made with LEDs’ luminous eff...
[期刊论文] 作者：郝锐,马学进,马昆旺,林志霆,李国强,,
来源：半导体光电 年份：2013
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。...
[会议论文] 作者：陈淑琦,张子辰,李晓,林志霆,李国强,
来源：2015广东材料发展论坛——新材料与先进制造大会 年份：2015
...
[期刊论文] 作者：杨美娟,林云昊,王文樑,林志霆,李国强,
来源：材料研究与应用 年份：2016
采用金属有机化合物气相沉积法（MOCVD）在Si（111）衬底上外延生长AlN薄膜，用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征，并研究了适量Hz的......
[期刊论文] 作者：何攀贵,王海燕,乔田,周仕忠,林志霆,李国强,,
来源：半导体光电 年份：2013
以正六棱锥型图形化蓝宝石衬底GaN基LED为研究对象,设计并探讨了正六棱锥图案在排布过程中旋转角的变化对LED出光效率的影响,得出各面光通量随旋转角变化的规律:在0°～30°范...
[期刊论文] 作者：钱慧荣,周仕忠,刘作莲,杨为家,王海燕,林志霆,林云昊,王文樑,李国强,,
来源：半导体光电 年份：2015
在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和...
相关搜索：
