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[学位论文] 作者：林生晃,
来源：西安理工大学 年份：2012
在SiC晶体制备已取得长足进步的今天，如何获得大直径、高品质、低成本的SiC晶体依然是相关科研人员追求的目标。本文在2英寸SiC晶体常规生长工艺的基础上，借助多种特性表征手段......
[期刊论文] 作者：林生晃,傅年庆,鲍桥梁,
来源：高等学校化学学报 年份：2021
随着环境污染的日益严重和能源危机的不断加剧,新能源的开发和利用逐渐成为研究的重点.在各种已开发的绿色能源技术中,光伏发电是一种非常有前景的技术.尽管传统硅基太阳能电...
[期刊论文] 作者：臧源,李连碧,林生晃,曹琳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
使用物理气象沉积法生长了轻Al掺杂6H—SiC样品，并使用超导量子干涉磁强计（SQUID）对无腐蚀及腐蚀后的样品进行了测试，发现了腐蚀后的样品在室温下表现出铁磁性。经过计算，样品磁信......
[会议论文] 作者：封先锋,陈治明,林生晃,蒲红斌,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
异晶型夹杂是影响SiC晶体品质的关键因素之一.在分析耔晶、杂质、生长温度、生长初期工艺、籽晶装配工艺等影响SiC晶型可控生长主要因素的基础上,制定了实现6H-SiC晶型可控生...
[会议论文] 作者：封先锋,陈治明,林生晃,蒲红斌,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
SiC晶体生长过程中源-衬距的减小影响晶体生长速率和晶体的品质。制定了下调坩埚系统高温区和不同粒度的SiC粉源分别放置在坩埚不同部位相结合的源-衬距维持方案,利用自制设...
[期刊论文] 作者：刘兵,陈治明,封先锋,林生晃,王风府,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
在SiC单晶生长过程中，与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质。本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法，即在粘贴籽晶之前，用直流反应......
[会议论文] 作者：巴音图;陈治明;林生晃;杨明超;刘宗芳;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用PVT(Physical Vapor Transport)法生长故意掺氮的低阻n-4H-Sic单晶体。结果表明:用4H-Sic耔晶的碳面为生长面,且籽晶温度监测点的温度设定在1965～1995℃范围内时,在生长过...
[期刊论文] 作者：杨莺,刘素娟,陈治明,林生晃,李科,杨明超,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明：经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质...
[期刊论文] 作者：吴润锋,陆冠桦,郑华,林生晃,陈荣盛,刘佰全,
来源：材料研究与应用 年份：2022
金属卤化物钙钛矿材料具有可调的发光波长、高光致发光量子效率、高色饱和度、低成本和室温溶液加工等优点，有望成为下一代全彩显示和照明领域的有力竞争者。自2014年首次在室温观测到钙钛矿的电致发光效应以来，绿光、红光和近红外钙钛矿发光二极管（Perovskite Lig......
[期刊论文] 作者：杨明超,陈治明,封先锋,林生晃,李科,刘素娟,刘宗芳,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
PVT法生长SiC过程中晶体内部的热应力是其位错产生的主要原因,而生长界面的形状对晶体热应力及缺陷的产生都有一定影响。本文对不同生长界面晶体的温场及应力场进行了数值分...
[期刊论文] 作者：张广宇,龙根,林生晃,冼乐德,姜岩,吴昊,王硕培,李娜,
来源：中国科学院院刊 年份：2022
信息社会的飞速发展对信息存储、加工、传输能力提出了与日俱增的迫切需求.随着“摩尔定律”逐渐逼近极限,半导体工业急需寻求新的解决方案.二维材料因为原子级厚度的尺寸特点,表面无悬挂键的结构优势加上极大比表面积导致的对电、光等调控手段的敏感性被认为是......
[期刊论文] 作者：周钰卜,高桦宇,郑华,邹建华,林生晃,李显博,刘佰全,
来源：电子与封装 年份：2023
柔性有机发光二极管（OLED）因使用柔性衬底而对环境中的水氧更加敏感，这对封装技术提出了更高的要求。目前，柔性OLED封装技术中最具希望的发展方向是可柔性化、水氧隔离能力优异的薄膜封装（TFE）技术。TFE是在OLED表面制备一层或者多层超薄的薄膜材料，以阻隔水氧侵蚀的封......
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