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[学位论文] 作者：柯桓,
来源： 年份：2014
ZnS是一种带隙较宽(3.65-3.85eV)的Ⅱ-Ⅵ族化合物直接半导体材料,它在可见光波长范围内具有良好的光学性能,因此在光电方面有着很好的应用。在铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池领域中,ZnS薄膜是最具潜力的替代CdS缓冲层的无Cd材料之一。目前,ZnS薄膜的制备方法有很多......
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