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[期刊论文] 作者：陈钟谋,桂德成,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形成、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为４ｍｍ＾２时，在光源测试条件为：２８５６Ｋ，１９０００１ｘ下，光电流达０．６ｍＡ，加......
[期刊论文] 作者：桂德成,钱辉作,,
来源：电子工艺技术 年份：1986
本文阐述了红外辐射测温的物理基础。利用RM—50型红外显微热象仪观察了台面型结构的微波二极管、双极型功率晶体管的热象图,并初步探讨了热象图中的一些现象。This articl...
[期刊论文] 作者：桂德成,徐稼迟,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
本文着重研究双掺硅片热氧化后形成p-n结的结深规律.在理论上导出了p-n结的结深表达式:在一定的温度下,结深与氧化热处理时间的平方根成正比;并且与p型和n型杂质的掺杂比v有...
[期刊论文] 作者：徐稼迟,桂德成,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
按一定掺杂比例制备了一种双掺硅单晶.单晶片经热处理后形成的P-N结具有结深浅、均匀、杂质浓度分布不同于扩散结和离子注入结等特点.本文研究了这种双掺硅单晶的基本物理特...
[期刊论文] 作者：陈钟谋,桂德成,朱健,钱辉作,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2...
[期刊论文] 作者：何宇亮,王因生,桂德成,陈堂胜,顾晓春,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级...
[期刊论文] 作者：林金庭,徐稼迟,王因生,桂德成,熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1984
按照一定的掺杂比例制备了一种双掺硅单晶。单晶片经热处理后形成的P-N结具有结深浅、均匀、杂质浓度分布不同于扩散结和离子注入结等特点。本工作对P-N结形成的规律进行了理...
[期刊论文] 作者：袁仁宽,杨树成,袁宏,江若莲,郑有炓,钱辉作,桂德成,
来源：半导体学报 年份：1993
本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层...
[会议论文] 作者：王因生,张树丹,王佃利,傅义珠,盛国兴,桂德成,丁晓明,王志楠,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
报道一种掺砷多晶硅发射极超自对准亚微米工艺技术,特别适用于研制大面积的硅微波大功率晶体管.文中简述器件结构和工艺,同时给出器件研制的结果....
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