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[期刊论文] 作者：梁仁荣,
来源：企业经济 年份：1991
企业实行经济责任制以来,使人深感经济责任制对促进企业生产发展,改善经营管理,提高经济效益,增加国家、企业和职工收入之巨大威力。企业财会部门也正在变成...
[期刊论文] 作者：梁仁荣,
来源：财经研究 年份：1991
实行承包经营责任制是企业的一项重大改革。实施以来,取得显著的经济效果,但也出现了一些问题。本文试从对企业承包经营者的要求,提出应突出质量否决,并从统计监督的角...
[期刊论文] 作者：梁仁荣,
来源：企业经济 年份：1991
问题之提出统计在企业管理中一直处于无足轻重的附属地位,存在着种种困难: 困境之一:统计工作隶属其它非统计部门。有的企业的综合统计由会计兼任,其工作形式是“以会代统”...
[学位论文] 作者：梁仁荣,
来源：吉林大学 年份：2021
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[期刊论文] 作者：梁仁荣,黄棘,
来源：财经研究 年份：1993
价值工程,是一门现代化的管理技术。它通过选定对象、确定功能、核算成本、分析价值、提出方案、方案评价和试验改进,进行有组织的综合性工作,促使企业以最低的成本保证...
[期刊论文] 作者：梁仁荣,徐莉莉,
来源：科学中国人 年份：2000
企业的沉重贷款债务和专业银行的大量不良债权,相当一部分形成“债务死结”。在存贷规模不断扩大的情况下。信贷风险也在不断增加,主要表现为:贷款违约比较普遍;挂帐停...
[期刊论文] 作者：徐莉莉,梁仁荣,
来源：科学中国人 年份：2000
一、企业隐性亏损之成因 利润是反映企业在一定时间内生产经营成果的重要指标。利润应该是真实地存在于企业。但目前由于多种原因,企业隐性亏损,又称潜亏比较普遍。 所谓隐...
[期刊论文] 作者：梁仁荣,符惠玲,,
来源：江西社会科学 年份：1993
一、运输规模是社会经济的基本比例之这些年我们讨论过积累与消费的比例,也探讨过农轻重和其它一些比例关系.但应该承认,社会在多大规模上,用多少资源去实现人与物的空间位移...
[期刊论文] 作者：李为民,梁仁荣,王敬,,
来源：微电子学 年份：2014
利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当沟道长度缩小到10nm及以下时器件的电学特性...
Fabrication of High Quality SiGe Virtual Substrates by Combining Misfit Strain and Point Defect Tech
[期刊论文] 作者：梁仁荣,王敬,许军,,
来源：Tsinghua Science and Technology 年份：2009
High quality strain-relaxed thin SiGe virtual substrates have been achieved by combining the misfit strain technique and the point defect technique. The point d...
[会议论文] 作者：许军,崔宁,梁仁荣,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
采用器件数值模拟工具对PIN、PNPN以及HMG等几种新型隧道穿透场效应晶体管(TFET)器件进行了研究。结果表明优化的TFET器件具有较好的亚阈区特性和较高的Ion/Ioff之比，有望在低功耗应用中成为纳米级MOSFET强有力的竞争者之一。......
[期刊论文] 作者：张侃,梁仁荣,徐阳,许军,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用减压化学气相淀积（RPCVD）技术在弛豫Si1-xGex虚拟衬底上赝晶生长应变硅层，以其为沟道材料制造得到的应变硅n-MOSFET表现出显著的性能提升。研究了通过改变Si1-xGex中Ge的摩...
Effective interface passivation of a Ge/HfO_2 gate stack using ozone pre-gate treatment and ozone am
[期刊论文] 作者：赵梅,梁仁荣,王敬,许军,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
The physical and electrical properties of a Ge/GeO_2/HfO_2/Al gate stack are investigated.A thin interfacial GeO_2 layer(~ 1 nm) is formed between Ge and HfO_2...
[期刊论文] 作者：胡梦月,梁仁荣,王敬,许军,,
来源：微电子学 年份：2014
随着集成电路特征尺寸进入纳米尺度,摩尔定律的延续受到一定的挑战,纳米技术代的晶体管亟需全新的材料、器件结构和工艺集成技术。在器件结构方面,无结型场效应晶体管由于其...
[期刊论文] 作者：李德斌,梁仁荣,刘道广,许军,,
来源：微电子学 年份：2008
采用二维数值模拟的方法，研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅（SSOI）动态阈值（DT）MOSFET的特性，全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明，通过......
[期刊论文] 作者：顾玮莹,梁仁荣,张侃,许军,,
来源：半导体学报 年份：2008
双轴应变技术被证实是一种能同时提高电子和空穴迁移率的颇有前景的方法;〈100〉沟道方向能有效地提升空穴迁移率.研究了在双轴应变和〈100〉沟道方向的共同作用下的空穴迁移...
[期刊论文] 作者：严利人,刘道广,刘志弘,梁仁荣,
来源：微电子学 年份：2020
在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重要的.文章采用贝叶斯统计推断工具用于器件...
[会议论文] 作者：梁仁荣,张侃,王敬,徐阳,许军,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
采用减压化学气相淀积(RPCVD)技术，通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度，以及适当优化固定组分SiGe层的外延生长工艺，在弛豫Si1-χGeχ虚拟衬底上制备出具有低表面粗糙度和低...
[期刊论文] 作者：王巍,王敬,赵梅,梁仁荣,许军,,
来源：半导体学报 年份：2012
Insertion of a C-containing layer in a metal/Ge structure,using a chemical bath,enabled the Schottky barrier height(SBH) to be modulated.Chemical baths with 1-o...
[期刊论文] 作者：崔宁,梁仁荣,王敬,周卫,许军,,
来源：半导体学报 年份：2012
A PNPN tunnel field effect transistor(TFET) with a high-k gate dielectric and a low-k fringe dielectric is introduced.The effects of the gate and fringe electri...
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